SBR40U200CTB

当您的电源设计面临效率瓶颈，系统发热量居高不下时，是否曾想过，一颗小小的整流器件竟能成为破局的关键？今天，我们为您带来一个能显著提升能效、降低损耗的卓越解决方案SBR40U200CTB。它不仅仅是一个二极管阵列，更是Diodes Incorporated引以为傲的SBR（超级势垒整流器）技术的集大成者，旨在为您的200V、20A级应用注入前所未有的高效动力。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高功率通信设备的核心电路中，能量转换的每一个环节都至关重要。传统肖特基二极管在高压下漏电流剧增，而标准快恢复二极管又饱受高正向压降的困扰。SBR40U200CTB巧妙地融合了二者的优点，其超级势垒技术实现了低至930mV@20A的超低正向压降，同时将反向恢复时间缩短至惊人的50ns。这意味着在开关电源的每一次切换中，导通损耗和开关损耗被双双大幅削减，系统整体效率得以跃升，温升显著降低，可靠性和寿命自然随之延长。

这种性能优势直接转化为广泛的应用价值。无论是要求严苛的数据中心PSU、追求稳定与效率的太阳能逆变器，还是对体积和散热敏感的车载充电器，SBR40U200CTB都能游刃有余。其1对共阴极的阵列配置，为桥式整流等拓扑提供了紧凑而高效的实现方式。表面贴装的DPak封装不仅便于自动化生产，其优异的散热能力更能确保芯片在-65°C至175°C的结温范围内稳定工作，应对各种恶劣环境挑战。

选择SBR40U200CTB，就是选择以更低的系统总成本获得更高的性能天花板。它让您无需在效率、温度和可靠性之间艰难妥协，而是通过一次聪明的器件选型，直接达成设计目标。当您需要获取样品或进行批量采购时，遍布全球的授权DIODES代理商网络将为您提供专业、及时的技术与供应链支持。立即采用SBR40U200CTB，开启您下一个高效、可靠电源设计的新篇章，让卓越性能成为您产品的核心竞争力。

• 型号:SBR40U200CTB
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-263AB（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
• 描述:DIODE ARRAY SBR 200V 20A TO263AB
• 包装:管件
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 二极管配置:1 对共阴极
• 技术:超级势垒
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:200 V
• 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）:20A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):930 mV @ 20 A
• 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):50 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200 A @ 200 V
• 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 供应商器件封装:TO-263AB（D2PAK）
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还在为高压整流应用中的效率损失和散热难题而烦恼吗？SBR40U200CTB超级势垒整流器阵列正是为您而来的解决方案。它集成了Diodes先进的SBR技术，在高达200V的反向电压和20A的整流电流下，能实现仅930mV的超低正向压降和快至50ns的反向恢复时间，从根本上降低导通与开关损耗。

这颗芯片能让您的电源系统运行得更凉爽、更高效。无论是服务器电源、工业驱动还是新能源转换设备，其卓越的性能都能帮助您轻松提升整体能效，减少散热设计压力，从而增强产品可靠性并延长使用寿命。选择SBR40U200CTB，就是为您的核心电路注入一颗高效、稳定的‘心脏’。