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SBR3U100LP-7的图片

SBR3U100LP-7

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分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:DIODE SBR 100V 3A U-DFN3030-8
原厂封装:封装:U-DFN3030-8
优势价格,SBR3U100LP-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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SBR3U100LP-7的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

在追求极致能效的今天,您的电源设计是否还在为整流二极管的功耗和发热问题所困扰?想象一下,当系统效率每提升1%,就能为您的产品带来更长的续航、更低的运营成本,以及更强大的市场竞争力。现在,这一切的突破点,就蕴藏在SBR3U100LP-7这颗小小的芯片之中。

它绝非普通的整流二极管,而是采用了Diodes引以为傲的超级势垒整流器(SBR)技术。这项技术的核心价值,在于它革命性地将正向压降(Vf)降低至惊人的790mV @ 3A。这意味着在相同的电流下,它产生的热损耗远低于传统肖特基或快恢复二极管,让您的电源模块运行起来更加“冷静”,系统整体效率得以显著跃升。无论是紧凑的消费电子适配器,还是要求严苛的工业电源,这种效率的提升都直接转化为产品可靠性的增强和用户体验的优化。

具体到应用场景,SBR3U100LP-7的100V高耐压和3A平均整流电流能力,使其成为AC-DC反激式转换器次级侧整流、DC-DC转换器以及电机驱动电路中续流二极管的理想选择。其快速的恢复特性(≤500ns)确保了在高频开关电源中也能保持出色的性能,有效减少开关损耗和电磁干扰(EMI),让您的设计不仅高效,而且“安静”。其小巧的8-PowerUDFN封装,更是为空间受限的现代电子产品提供了完美的解决方案,帮助您在寸土寸金的PCB上实现更高功率密度的布局。

那么,在众多元器件中,为何要坚定地选择它?答案在于其带来的综合价值远超一个单一部件。它不仅仅是一个二极管,它是一个提升系统能效、增强可靠性和缩小体积的系统级解决方案。选择SBR3U100LP-7,就是选择了一种更先进、更可靠的技术路径。为了确保您能获得原厂品质的正品芯片和及时的技术支持,我们强烈建议您通过官方DIODES授权代理进行采购。让这颗凝聚尖端技术的芯片,成为您下一款明星产品背后无声却强大的动力引擎。

  • 型号:SBR3U100LP-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:U-DFN3030-8
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
  • 描述:DIODE SBR 100V 3A U-DFN3030-8
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 技术:超级势垒
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V
  • 电流 - 平均整流 (Io):3A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):790 mV @ 3 A
  • 速度:快速恢复 =\< 500ns,\> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr):-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200 A @ 100 V
  • 不同Vr、F 时电容:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-PowerUDFN
  • 供应商器件封装:U-DFN3030-8
  • 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C
  • 想获取SBR3U100LP-7的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为电源转换效率遇到瓶颈而烦恼吗?SBR3U100LP-7超级势垒整流器,正是为您突破这一瓶颈而生的利器。它采用先进的SBR技术,能将高达3A电流下的正向压降控制在仅790mV,显著降低导通损耗和发热,让您的电源设计轻松实现更高的能效和更低的温升。

这颗芯片能为您做什么?它集100V高耐压、快速恢复特性和紧凑的U-DFN3030-8封装于一身,完美适配各类高频开关电源、DC-DC转换器及电机驱动应用。选择它,意味着您能获得更高效、更可靠且更节省空间的整流解决方案,让您的产品在性能和体积上双双赢得优势。

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