SBR30A100CT

您是否正在为电源转换效率的瓶颈而烦恼？数据显示，传统肖特基二极管在高温下的正向压降损耗可能高达系统总损耗的15%以上。现在，我们为您带来革命性的解决方案SBR30A100CT超级势垒整流器，它将彻底改变您对高效能电源设计的认知。

想象一下，在您的服务器电源、工业电机驱动器或新能源车载充电器中，一颗芯片就能显著降低运行温度，提升整体可靠性。SBR30A100CT正是为此而生。它采用Diodes Incorporated领先的超级势垒技术，在15A的额定电流下，正向压降低至惊人的800mV，这意味着更少的能量以热量的形式被浪费，更多的能量被有效利用。其100V的反向耐压和快速恢复特性（≤500ns），确保了在频繁开关的现代电源拓扑中，既能承受高电压应力，又能有效抑制反向恢复带来的振荡和损耗，让系统运行如丝般顺滑。

无论是面对严苛的工业环境（工作结温高达175°C），还是追求极致空间利用的紧凑型设计（TO-220封装便于安装与散热），SBR30A100CT都能游刃有余。其1对共阴极的阵列配置，特别适合用作桥式整流或续流二极管，简化您的电路布局。选择它，不仅仅是选择了一颗高性能的二极管，更是选择了一种提升产品竞争力、降低系统总成本的设计理念。当您追求极致的效率与可靠性时，与值得信赖的DIODES一级代理合作，确保您获得原装正品和全面的技术支持，是项目成功的关键一步。

• 型号:SBR30A100CT
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-220-3
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
• 描述:DIODE ARRAY SBR 100V 15A TO220-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 二极管配置:1 对共阴极
• 技术:超级势垒
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:100 V
• 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）:15A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 15 A
• 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):-
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 A @ 100 V
• 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-3
• 供应商器件封装:TO-220-3
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还在为电源模块的发热和效率损失头疼吗？让SBR30A100CT来为您分忧！这颗基于超级势垒整流（SBR）技术的芯片，核心使命就是让您的电源设计更高效、更凉爽。它在15A大电流下仅产生800mV的超低正向压降，能大幅削减导通损耗，直接提升系统整体能效。

同时，它拥有100V的高反向耐压和快速的恢复速度，能轻松应对高频开关场景，确保系统稳定可靠。其宽广的-65°C至175°C结温范围和坚固的TO-220封装，让您即使在最严苛的工业或汽车应用环境中也能高枕无忧。选择SBR30A100CT，就是选择用一颗芯片的力量，轻松实现电源系统的高效与稳健运行。