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SBR3045CT-G的图片

SBR3045CT-G

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分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:DIODE ARRAY SBR 45V 15A TO-220-3
原厂封装:封装:TO-220-3
优势价格,SBR3045CT-G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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SBR3045CT-G的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

在追求极致能效的今天,您的电源设计是否还在为传统肖特基二极管的正向压降和开关损耗所困扰?想象一下,如果有一种解决方案,能将这两大痛点同时大幅降低,您的产品将在性能和可靠性上获得怎样的飞跃?现在,这一切不再是想象。SBR3045CT-G超级势垒整流器,正是为颠覆而来,它将以其卓越的性能,成为您高效电源设计的核心引擎。

这颗芯片的核心魅力,在于其采用的革命性超级势垒技术。它完美融合了肖特基二极管低开启电压和PN结二极管高反向耐压、低漏电流的优点。具体到参数上,它在高达15A的电流下,正向压降仅为700mV,这意味着更低的导通损耗和更少的热量产生。同时,其快速恢复特性(≤500ns)确保了极低的开关损耗,让您的系统在频繁开关状态下依然保持高效与冷静。无论是面对严苛的汽车电子环境(符合AEC-Q101标准),还是工业级的高温挑战(结温高达150°C),它都能稳定可靠地工作,为您的设计注入强大的信心。

那么,如此强大的性能将点亮哪些应用场景?在汽车领域,它是车载充电器(OBC)、DC-DC转换器和LED驱动模块的理想选择,助力电动汽车跑得更远、更稳。在工业电源和服务器电源中,它能显著提升转换效率,降低系统温升,从而减少散热成本,提升整体功率密度。对于通信基站和新能源逆变器而言,其高可靠性和高效率是保障系统长期稳定运行的关键。选择DIODES一级代理,您不仅能获得正品保障和稳定的供货,更能得到专业的技术支持,确保这颗高性能芯片的价值在您的产品中得到完美释放。

当您站在选型的十字路口,SBR3045CT-G给出了不容拒绝的理由。它不仅仅是一个参数优秀的元件,更是一个系统级的能效解决方案。通过降低损耗,它直接帮助您减少能源浪费、简化散热设计、缩小产品体积,并最终提升终端产品的市场竞争力。在TO-220AB的经典封装下,蕴藏着的是对效率极限的不断挑战。选择它,就是选择了一条通往更高性能、更可靠设计和更具成本效益的捷径。立即行动,让SBR3045CT-G成为您下一款明星产品的“高效心脏”,共同开启能效新纪元。

  • 型号:SBR3045CT-G
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:TO-220-3
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
  • 描述:DIODE ARRAY SBR 45V 15A TO-220-3
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • 二极管配置:1 对共阴极
  • 技术:超级势垒
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):45 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):15A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 15 A
  • 速度:快速恢复 =\< 500ns,\> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr):-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 A @ 45 V
  • 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商器件封装:TO-220-3
  • 想获取SBR3045CT-G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您是否正在寻找一种能显著提升电源效率、同时兼顾高可靠性的整流解决方案?SBR3045CT-G超级势垒整流器正是您的答案。它采用创新的超级势垒技术,在15A电流下仅产生700mV的超低正向压降,并具备快速的开关速度,能大幅降低导通与开关损耗,让您的电源设计轻松实现更高的能效和更低的温升。

这颗芯片专为严苛环境打造,符合汽车级AEC-Q101标准,结温范围宽达-65°C至150°C,确保在汽车电子、工业电源等高要求场景中稳定运行。其TO-220AB通孔封装便于安装和散热,帮助您高效构建高功率密度、高可靠性的系统。选择SBR3045CT-G,就是为您的产品选择了一颗强劲、可靠的“高效之心”。

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