SBR20A120CT-G-E1

在追求极致能效的今天，您的电源转换方案是否还在为传统肖特基二极管的正向压降和温升问题所困扰？想象一下，如果有一种解决方案，能将导通损耗显著降低，让系统运行更凉爽、更持久，那将为您的产品带来怎样的竞争优势？现在，这一切已成为现实。我们隆重向您介绍SBR20A120CT-G-E1，这颗基于Diodes Incorporated革命性SBR（超级势垒整流器）技术的功率器件，正是为打破效率瓶颈而生。

当您将它应用于服务器电源、工业电机驱动或新能源逆变器时，其优势将立刻显现。得益于超级势垒技术，它在10A电流下仅790mV的超低正向压降，意味着更少的能量以热的形式被浪费掉。这不仅直接提升了系统的整体转换效率，更能让散热设计变得更为轻松，帮助您的设备在-65°C至175°C的严苛结温范围内稳定运行。无论是面对持续的高负载，还是需要紧凑空间布局的挑战，它120V的反向耐压和10A的整流能力都游刃有余，TO-220-3的经典封装也确保了广泛的兼容性与可靠的通孔安装。

选择SBR20A120CT-G-E1，就是选择了一种面向高性能与高可靠性的设计哲学。它不仅仅是一个二极管，更是您提升产品能效等级、延长使用寿命并降低系统总成本的关键拼图。在标准恢复速度下，它能有效处理各种开关场景，而极低的反向漏电流（仅100A @ 120V）则保障了待机功耗的优化。我们理解，卓越的产品需要可靠的供应链支持，这正是我们作为专业的DIODES芯片代理所肩负的责任确保您能及时获得这颗已停产但仍极具市场价值的经典器件，为您的现有产品升级或备货提供坚实保障。让它成为您下一个成功设计的强大心脏，开启能效新纪元。

• 型号:SBR20A120CT-G-E1
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-220-3
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
• 描述:DIODE ARRAY SBR 120V 10A TO220-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 二极管配置:1 对共阴极
• 技术:超级势垒
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:120 V
• 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）:10A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):790 mV @ 10 A
• 速度:标准恢复 \>500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):-
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 A @ 120 V
• 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-3
• 供应商器件封装:TO-220-3
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还在寻找能大幅降低导通损耗的整流方案吗？SBR20A120CT-G-E1超级势垒整流器正是您的答案。它采用先进的SBR技术，在10A电流下实现仅790mV的超低正向压降，能显著减少电源转换中的热量产生，让您的系统运行更高效、更凉爽。

这颗芯片能为您轻松应对120V、10A的整流需求，其1对共阴极的阵列配置和TO-220封装，非常适合用于开关电源、电机驱动等场景的续流或整流桥臂。宽广的-65°C至175°C结温工作范围，确保了它在各种恶劣环境下依然稳定可靠，让您的产品设计无后顾之忧。