SBR1U400P1-7

在追求极致能效的今天，您是否还在为传统肖特基二极管在高压应用中的高损耗和发热问题而烦恼？现在，SBR1U400P1-7的到来，将彻底改变这一局面。这款来自Diodes Incorporated的超级势垒整流器，以其革命性的技术，在400V高压下实现了惊人的900mV超低正向压降，将效率提升至全新高度，让您的电源设计不再为能量损耗而妥协。

想象一下，在紧凑的开关电源、高效的LED照明驱动或是要求严苛的工业辅助电源中，SBR1U400P1-7正以其1A的稳健电流承载能力和85ns的极速反向恢复时间，默默发挥着关键作用。它不仅有效降低了开关损耗，提升了系统整体频率响应，其微乎其微的反向泄漏电流（仅50A @ 400V）更确保了系统在待机或轻载状态下的超低功耗。这意味着，无论是追求轻薄化的消费类适配器，还是需要长时间可靠运行的工业设备，它都能提供持久而稳定的心脏动力。

选择SBR1U400P1-7，就是选择了一种更智能、更可靠的解决方案。其采用的PowerDI 123封装，在提供出色散热性能的同时，极大节省了宝贵的PCB空间，让您的布局设计游刃有余。更重要的是，通过与值得信赖的DIODES代理合作，您不仅能获得这颗性能卓越的芯片，更能享受到原厂级的质量保证、稳定的供货支持以及专业的技术服务，让您的产品从研发到量产全程无忧。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品竞争力、赢得市场先机的秘密武器。

• 型号:SBR1U400P1-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI 123
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SBR 400V 1A POWERDI 123
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:超级势垒
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:400 V
• 电流 - 平均整流 (Io):1A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 1 A
• 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):85 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 A @ 400 V
• 不同Vr、F 时电容:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:POWERDI123
• 供应商器件封装:PowerDI 123
• 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C
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还在寻找一颗能在高压下兼顾高效率与可靠性的整流方案吗？SBR1U400P1-7超级势垒整流器正是为您而来。它凭借独特的SBR技术，在高达400V的反向电压下，仅产生900mV的超低正向压降，让您的电源系统效率大幅跃升，同时将发热量降至最低。

这颗芯片能为您轻松实现更高效、更紧凑的电源设计。其1A的整流电流和85ns的快速恢复特性，确保在高频开关应用中响应迅捷、损耗微小。采用小巧的PowerDI123表面贴装封装，让您高效利用电路板空间，简化生产流程。选择它，就是为您的产品注入了强劲而稳定的核心动力。