SBR1A400P1-7

在追求极致能效的今天，您的电源设计是否还在为整流二极管的功耗和发热问题而妥协？当传统肖特基二极管在高压下无能为力，而普通快恢复二极管又带来过高的正向压降损耗时，一个更优的解决方案已经到来。这就是SBR1A400P1-7，它完美融合了低压降与高耐压的优势，将系统效率提升到一个全新高度。

想象一下，在您的开关电源、LED驱动或适配器设计中，这颗芯片能够轻松应对高达400V的反向电压，同时将正向压降牢牢控制在1.1V（@1A）。这意味着在相同的输出功率下，您能显著减少能量在二极管上的浪费，从而降低整体温升，提升系统可靠性。其快速恢复特性（trr仅85ns）更能有效抑制开关噪声，让您的EMI设计变得更加从容。无论是追求轻薄紧凑的消费类电子，还是要求严苛的工业设备，DIODES一级代理都能为您提供这颗高效能芯片的稳定供应和技术支持。

选择SBR1A400P1-7，就是选择了一种面向未来的设计哲学。它采用的Super Barrier Rectifier（SBR）技术，从根本上解决了传统方案的矛盾。您无需再在效率、耐压和成本之间艰难权衡。其表面贴装的PowerDI 123封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，更优化了散热路径，让高密度布局成为可能。当您的竞争对手还在使用老旧方案时，采用这颗芯片的产品已经在能效、体积和可靠性上建立了难以逾越的壁垒。立即将SBR1A400P1-7纳入您的核心物料清单，让它成为您产品在市场上脱颖而出的秘密武器。

• 型号:SBR1A400P1-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI 123
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SBR 400V 1A POWERDI 123
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:超级势垒
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:400 V
• 电流 - 平均整流 (Io):1A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A
• 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):85 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 A @ 400 V
• 不同Vr、F 时电容:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:POWERDI123
• 供应商器件封装:PowerDI 123
• 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C
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还在寻找一颗能同时兼顾高效率与高可靠性的整流方案吗？SBR1A400P1-7正是为您而生的答案。它基于先进的SBR技术，让您能以仅1.1V的超低正向压降处理1A的持续电流，并轻松抵挡400V的高压冲击，从而大幅降低导通损耗和温升，直接提升您整个电源系统的效率。

这颗芯片的快速恢复特性（反向恢复时间仅85ns）能有效减少开关噪声，让您的EMI滤波设计更简单，系统运行更安静稳定。采用小巧的PowerDI123表面贴装封装，它不仅为您节省宝贵的电路板空间，其优异的散热性能更能确保在紧凑和高密度设计中长期可靠工作。选择SBR1A400P1-7，就是为您的产品选择了一份高效与安心的保障。