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SBR10U45D1-T的图片

SBR10U45D1-T

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分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:DIODE SBR 45V 10A TO2523
原厂封装:封装:TO-252-3
优势价格,SBR10U45D1-T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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SBR10U45D1-T的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

在追求极致能效的今天,您的电源设计是否还在为整流环节的损耗和发热问题所困扰?想象一下,一个关键的整流器件,能将正向压降低至惊人的570mV,同时承载高达10A的电流,这不仅仅是参数的提升,更是系统整体性能和可靠性的飞跃。这正是SBR10U45D1-T超级势垒整流器为您带来的核心价值。它采用Diodes Incorporated先进的SBR技术,专为高效率、低损耗的应用而打造,让您的产品在激烈的市场竞争中,凭借更低的温升、更长的续航和更稳定的表现脱颖而出。

无论是服务器电源、工业电机驱动,还是新能源车载充电器,SBR10U45D1-T都能大显身手。其45V的反向耐压和10A的整流能力,使其成为中低压、大电流同步整流或续流二极管的理想选择。在DC-DC转换器中,它显著降低导通损耗;在电机控制电路中,其快速的恢复特性有效减少开关噪声和电压尖峰。选择它,就意味着为您的系统注入一颗强劲而高效的“心脏”,确保能量转换过程顺畅无阻,整体效率大幅提升。我们作为专业的DIODES芯片代理,深知这颗芯片在优化方案中的关键作用,并致力于为客户提供可靠的技术支持和供应保障。

那么,在众多整流方案中,为何要坚定地选择SBR10U45D1-T?答案在于其无可比拟的综合优势。它不仅仅是一个参数优秀的二极管,更是Diodes尖端SBR技术的结晶。超低的正向压降直接转化为更少的能量浪费和更低的运行温度,这对于提升系统可靠性、简化散热设计至关重要。TO-252-3(DPak)的表面贴装封装,兼顾了优异的散热性能和自动化生产的便利性。虽然该型号已处于停产状态,但其成熟的设计和卓越的性能,使其在存量市场及特定升级项目中依然具有极高的应用价值和成本效益。为现有经典设计寻找稳定可靠的性能升级方案,或是为特定高效能需求寻找经过市场验证的解决方案,SBR10U45D1-T都是一个经过时间考验的明智之选。

  • 型号:SBR10U45D1-T
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:TO-252-3
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
  • 描述:DIODE SBR 45V 10A TO2523
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 技术:超级势垒
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):45 V
  • 电流 - 平均整流 (Io):10A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):570 mV @ 10 A
  • 速度:快速恢复 =\< 500ns,\> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr):-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 A @ 45 V
  • 不同Vr、F 时电容:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
  • 供应商器件封装:TO-252-3
  • 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C
  • 想获取SBR10U45D1-T的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗?SBR10U45D1-T超级势垒整流器,正是为您提升能效、降低损耗而生的利器。它能在10A的大电流下,将正向导通压降低至仅570mV,这意味着更少的能量以热量的形式被浪费,让您的电源模块运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片采用先进的SBR技术,具备快速恢复特性,能有效应对高频开关场景,减少电压振荡和电磁干扰。其45V的反向耐压和10A的承载能力,使其成为同步整流、续流和反向保护等关键位置的可靠卫士。采用TO-252-3标准封装,让您能够轻松集成到现有设计中,快速实现产品性能的升级换代。

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