SBR10U200CTB

在追求极致能效的今天，您是否还在为传统肖特基二极管在高压应用中的高损耗和发热问题而烦恼？现在，答案来了。我们隆重推出SBR10U200CTB，一款基于革命性超级势垒整流器（SBR）技术的200V/5A整流解决方案，它将彻底改变您对高压整流效率的认知。凭借其超低的正向压降和极快的反向恢复时间，这颗芯片不仅仅是替代品，更是能效跃升的催化剂。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或新能源逆变器中，每一瓦的损耗都意味着成本的增加和系统可靠性的降低。SBR10U200CTB正是为此类高压、高频的严苛场景而生。其820mV@5A的超低正向压降，相比传统方案能显著减少导通损耗，直接转化为更低的温升和更高的系统效率。同时，仅30ns的极速反向恢复时间，能有效抑制开关噪声和电压尖峰，让您的电源设计在高频下依然稳定、安静，为整个系统的长期可靠运行打下坚实基础。

选择SBR10U200CTB，就是选择了一种面向未来的设计哲学。它不仅提供了TO-263（DPAK）这种成熟可靠的功率封装，确保出色的散热能力和机械强度，其宽广的-65°C至175°C结温工作范围，更是赋予了产品无与伦比的环境适应性。无论是应对炎夏的酷热还是严冬的寒冷，它都能稳定输出。当您需要可靠、高性能的整流方案时，选择正品授权的DIODES芯片代理，就是选择了品质与信心的保障。让SBR10U200CTB成为您下一代高性能产品的“高效心脏”，共同开启能效新纪元。

• 型号:SBR10U200CTB
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-263AB（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
• 描述:DIODE ARRAY SBR 200V 5A TO263AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 二极管配置:1 对共阴极
• 技术:超级势垒
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:200 V
• 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）:5A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):820 mV @ 5 A
• 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):30 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200 A @ 200 V
• 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 供应商器件封装:TO-263AB（D2PAK）
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还在寻找能同时兼顾高效率与高可靠性的200V整流方案吗？SBR10U200CTB超级势垒整流器就是为您量身打造的答案。它集成了Diodes先进的SBR技术，能以低至820mV@5A的正向压降和仅30ns的反向恢复时间，为您的高压电源、电机驱动或光伏逆变器应用大幅降低开关损耗和导通损耗。

这颗芯片能轻松应对高达200V的反向电压和5A的平均整流电流，其快速的开关特性确保系统在高频下稳定运行，减少电磁干扰。采用坚固的TO-263表面贴装封装，并提供从-65°C到175°C的宽结温工作范围，让您的设计在面对各种严苛环境时都游刃有余，是实现高效、紧凑、可靠电源设计的理想选择。