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SBR10B45P5-7的图片

SBR10B45P5-7

DIODES图标
分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:DIODE SBR 45V 10A POWERDI5
原厂封装:封装:PowerDI 5
优势价格,SBR10B45P5-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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SBR10B45P5-7的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

在追求极致能效的今天,您的电源设计是否还在为传统肖特基二极管的正向压降和温升问题所困扰?想象一下,如果有一种解决方案,能在10A的大电流下,将正向压降降低至惊人的550mV,同时将反向泄漏电流控制在极低的380A水平,这能为您的系统带来怎样的能效飞跃和散热简化?这正是SBR10B45P5-7超级势垒整流器为您带来的核心价值。它不仅仅是一个元件,更是您提升产品竞争力的秘密武器。

这款来自Diodes Incorporated的明星产品,天生就是为了应对严苛的高效应用场景而生。无论是服务器和数据中心中要求极高可靠性的冗余电源(PSU),还是电动汽车充电桩、工业电机驱动等需要处理大功率脉冲的场合,它都能游刃有余。其45V的反向耐压和10A的持续整流能力,为48V以下的通信电源、网络设备以及各类消费电子产品的DC-DC转换器提供了坚固的保障。当您的设计需要在紧凑的空间内处理高功率密度时,其表面贴装的PowerDI 5封装展现出巨大优势,帮助您实现更小、更薄、更可靠的终端产品。

选择SBR10B45P5-7,就是选择了一种更智慧的设计哲学。它采用的SBR(超级势垒整流器)技术,巧妙地融合了肖特基二极管低开启电压和PN结二极管低反向泄漏电流的优点,有效解决了传统方案在高温下性能衰减的痛点。这意味着您的系统在全温度范围内都能保持稳定高效,减少了过热风险,延长了产品寿命。更低的导通损耗直接转化为更少的能源浪费和更简单的散热设计,从而降低整体系统成本。对于追求卓越性能和可靠性的工程师而言,这颗芯片是实现设计目标、脱颖而出的关键一环。若您正在寻找稳定可靠的供货与技术支援,专业的DIODES中国代理将是您值得信赖的合作伙伴,为您提供从选型到量产的全方位支持。

总而言之,在效率为王的市场中,细节决定成败。SBR10B45P5-7以其卓越的电气性能和封装优势,正成为新一代高效电源设计的首选。它不仅仅是在替换一个旧部件,而是在为您的整个系统注入高效、可靠的基因,帮助您打造出在能效、尺寸和可靠性上都更具吸引力的产品,最终赢得市场的青睐。

  • 型号:SBR10B45P5-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:PowerDI 5
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
  • 描述:DIODE SBR 45V 10A POWERDI5
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 技术:超级势垒
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):45 V
  • 电流 - 平均整流 (Io):10A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 10 A
  • 速度:标准恢复 \>500ns,\> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr):-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:380 A @ 45 V
  • 不同Vr、F 时电容:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:PowerDI 5
  • 供应商器件封装:PowerDI 5
  • 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C
  • 想获取SBR10B45P5-7的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您是否正在寻找一颗能显著提升电源效率、同时简化散热设计的核心整流器件?SBR10B45P5-7正是为您而来的解决方案。它基于先进的SBR技术,在10A的大电流下仅产生550mV的超低正向压降,让您的电源转换过程损耗更小、发热更低,轻松实现更高的系统能效。

这颗45V/10A的超级势垒整流器,能为您的高效电源设计保驾护航。其极低的反向泄漏电流(仅380A @ 45V)确保了出色的高温稳定性,让您的设备即使在严苛环境下也能可靠运行。采用紧凑的PowerDI5表面贴装封装,它帮助您节省宝贵的PCB空间,非常适合追求高功率密度和迷你化的现代电子设备,让您的产品设计更高效、更具竞争力。

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