SBR02U100LP-7

在追求极致能效的今天，您是否还在为传统肖特基二极管在高压下的高损耗和温升问题而烦恼？想象一下，一个仅0402封装的微小器件，却能以高达100V的反向电压和仅800mV@200mA的超低正向压降稳定工作，这正是SBR02U100LP-7为您带来的革命性体验。它不仅仅是一颗二极管，更是Diodes Incorporated SBR（超级势垒整流器）系列中的能效先锋，专为突破传统性能边界而生。

这颗芯片的价值，在那些对空间和效率都极为苛刻的场景中尤为闪耀。无论是需要高效DC-DC转换的便携式设备、对功耗敏感的物联网传感器节点，还是要求高可靠性的汽车辅助电源模块，SBR02U100LP-7都能凭借其快速恢复特性（≤500ns）和极低的反向泄漏电流（仅1A @ 75V），确保系统在高速开关下依然保持冷静与高效。它的表面贴装设计和超小尺寸，让您的PCB布局前所未有的灵活，轻松应对日益紧凑的产品设计潮流。

选择SBR02U100LP-7，就是选择了一种更智能的电源管理哲学。它用超级势垒技术，在肖特基二极管的高效率和PN结二极管的高压能力之间取得了完美平衡，让您的产品在100V、250mA的应用中，获得更低的导通损耗和更优异的热性能。这意味着更长的电池续航、更小的散热设计以及整体系统可靠性的显著提升。当您致力于打造下一代高效能电子产品时，这颗芯片就是您不可或缺的可靠伙伴。如需获取稳定的供货与专业的技术支持，我们的DIODES中国代理团队随时准备为您服务，助力您的创意从蓝图走向市场。

• 型号:SBR02U100LP-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X1-DFN1006-2
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SBR 100V 250MA X1DFN10062
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:超级势垒
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:100 V
• 电流 - 平均整流 (Io):250mA
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 200 mA
• 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):-
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 A @ 75 V
• 不同Vr、F 时电容:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:0402（1006 公制）
• 供应商器件封装:X1-DFN1006-2
• 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C
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还在寻找一颗能在微小空间内实现高效整流与快速开关的解决方案吗？SBR02U100LP-7超级势垒整流器正是您的理想之选。它集成了100V的高耐压与仅800mV@200mA的超低正向压降，让您在高达250mA的电流下，也能大幅降低导通损耗，显著提升系统能效。

这颗芯片采用先进的快速恢复技术（≤500ns），并具备极低的反向泄漏特性，确保您在DC-DC转换、电源极性保护等应用中，获得干净利落的开关性能和出色的热管理。其超小的0402（1006公制）DFN封装，让您能轻松应对最紧凑的电路板设计，为您的产品注入高效、可靠的核心动力。