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PD3Z284C3V9-7的图片

PD3Z284C3V9-7

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分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:DIODE ZENER 3.9V 500MW PWRDI323
原厂封装:封装:PowerDI 323
优势价格,PD3Z284C3V9-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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PD3Z284C3V9-7的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

当您的设计需要在严苛环境中保持稳定电压时,是否曾为传统稳压方案的体积、功耗和可靠性而困扰?现在,答案就在眼前。我们隆重推出PD3Z284C3V9-7,这颗来自Diodes Incorporated的精密齐纳二极管,以其3.9V的精准稳压能力,正在重新定义小型化、高可靠性电源保护的标准。它不仅仅是一个元件,更是您产品稳定运行的坚实守护者,能将电压波动带来的风险降至最低,让您的设计在竞争中脱颖而出。

想象一下,在那些空间极其宝贵的便携式设备内部,比如TWS耳机、智能手表或医疗监测贴片,每一平方毫米的PCB面积都价值连城。PD3Z284C3V9-7采用的超紧凑PowerDI 323封装,正是为此而生。它同样在汽车电子的引擎控制单元、车身模块中扮演着关键角色,凭借-65°C至150°C的宽工作温度范围,无畏严寒酷暑,确保车辆在各种极端气候下的稳定运行。在工业自动化领域,面对电机驱动、传感器接口的电压尖峰,它提供可靠的箝位保护,是提升系统耐用性和平均无故障时间的秘密武器。

选择这颗芯片的理由清晰而有力。首先,±5.13%的严格容差和仅90欧姆的最大动态阻抗,意味着它提供了远超同类产品的电压精度和负载调节能力,确保您的核心电路获得纯净、稳定的3.9V参考或保护电压。其次,500mW的功率处理能力,在微型封装中实现了出色的效能,让您无需为散热预留过多空间。更重要的是,其极低的反向泄漏电流(仅3A @ 1V)和优化的正向压降特性,显著降低了系统待机功耗,这对于追求长续航的电池供电设备至关重要。如果您正在寻找一个值得信赖的合作伙伴来获取这颗高性能芯片,专业的DIODES代理将为您提供从选型支持到稳定供货的全流程服务。让PD3Z284C3V9-7成为您下一个成功设计的稳压基石,开启高效、可靠的产品新篇章。

  • 型号:PD3Z284C3V9-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:PowerDI 323
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 描述:DIODE ZENER 3.9V 500MW PWRDI323
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.9 V
  • 容差:±5.13%
  • 功率 - 最大值:500 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):90 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 A @ 1 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 100 mA
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:PowerDI 323
  • 供应商器件封装:PowerDI 323
  • 想获取PD3Z284C3V9-7的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为电路中的电压瞬变和过压冲击而提心吊胆吗?PD3Z284C3V9-7就是您期待的解决方案。这颗高性能齐纳二极管专为提供精确、可靠的3.9V电压基准与保护而设计,它能轻松箝位异常电压,像一位忠诚的卫士,守护您后端精密IC的安全,大幅提升整个系统的稳健性与寿命。

得益于其仅90欧姆的低动态阻抗和±5.13%的精密容差,它能确保电压在负载变化时依然稳定如初。无论是用于电源轨的过压保护、作为ADC的参考电压源,还是在信号路径中进行电平箝位,它都能让您的设计工作变得异常高效。其表面贴装的PowerDI 323封装和宽达-65°C至150°C的工作温度范围,更让您能轻松应对空间受限及环境严苛的各种应用挑战。

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