NMSD200B01-7

在追求极致能效与紧凑设计的电子世界里，您是否还在为寻找一颗既能精准控制小电流，又能承受较高电压的可靠开关而烦恼？现在，答案就在眼前。让我们隆重介绍NMSD200B01-7，这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，正是为满足您对高性能与微型化的双重渴望而生。它不仅仅是一个开关，更是您提升产品可靠性、优化电路布局的得力助手。

想象一下，在您的便携式设备、精密传感器模块或低功耗控制单元中，NMSD200B01-7正以其高达60V的漏源电压和200mA的连续漏极电流，稳健地执行着每一次开关指令。其低至3欧姆的导通电阻（在5V驱动下），意味着更低的导通损耗和更少的热量产生，直接提升了系统的整体能效。无论是用于电源管理路径的切换，还是信号通道的隔离，它都能确保能量或信号以最小的损失、最高的保真度进行传递。其内置的肖特基二极管（隔离式）特性，更为电路提供了额外的保护，简化了您的设计。

选择NMSD200B01-7，就是选择了一份从容与高效。其微小的SOT-363封装，让它在空间受限的PCB板上游刃有余，帮助您实现更紧凑、更优雅的产品设计。宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了它在各种严苛环境下都能稳定工作，从消费电子到工业控制，适应性极强。虽然该型号已停产，但其卓越的性能指标和广泛的应用验证，使其在特定存量项目或对可靠性有极高要求的场景中，依然闪烁着经典的光芒。要获取这颗经典芯片或探索其替代方案，联系专业的DIODES代理商是您最明智的选择，他们能为您提供精准的库存信息和技术支持，让您的产品开发之路更加顺畅。

• 型号:NMSD200B01-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-363
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 200MA SOT363
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 欧姆 @ 50mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 25 V
• FET 功能:肖特基二极管（隔离式）
• 功率耗散（最大值）:200mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-363
• 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363
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还在为小功率电路的开关选择而犹豫吗？NMSD200B01-7就是为您量身定制的解决方案。这颗N沟道MOSFET能轻松胜任60V电压、200mA电流下的高效开关任务，其低导通电阻和快速开关特性，让您的电路损耗更低、响应更迅捷。

它集成了肖特基二极管，为您省去外部保护元件的麻烦，简化电路设计。超小的SOT-363封装，让您能在寸土寸金的PCB上实现更紧凑的布局。无论是便携设备、传感器接口还是低功耗控制模块，它都能让您的设计更高效、更可靠。