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MMBZ5250BW-7-F的图片

MMBZ5250BW-7-F

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分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:DIODE ZENER 20V 200MW SOT323
原厂封装:封装:SOT-323
优势价格,MMBZ5250BW-7-F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MMBZ5250BW-7-F的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

在追求极致稳定性的电子设计中,您是否曾为电压波动带来的系统风险而困扰?当关键电路需要精准的20V基准电压时,一个微小偏差就可能导致性能下降甚至故障。今天,我们为您带来一个值得信赖的解决方案MMBZ5250BW-7-F,这颗来自Diodes Incorporated的精密齐纳二极管,正是为守护您的电路稳定性而生。它不仅仅是一个元件,更是您产品可靠性的坚实后盾。

想象一下,在您的便携式设备、精密传感器模块或通信接口电路中,MMBZ5250BW-7-F正默默发挥着“电压卫士”的关键作用。无论是为微处理器内核提供稳定的参考电压,还是在电源输入端作为瞬态电压抑制器,保护后续敏感芯片免受浪涌冲击,它都能出色胜任。其±5%的高精度容差,确保了电压基准的可靠性,让您的设计从一开始就站在高稳定性的起跑线上。在从-65°C到150°C的广阔工作温度范围内,它都能保持稳定的钳位特性,无论是严寒还是酷热的环境,都能让您的系统从容应对。

选择MMBZ5250BW-7-F,就是选择了一份安心与高效。其紧凑的SOT-323封装,完美适配高密度PCB布局,为您节省宝贵的板级空间。200mW的功率处理能力,结合仅25欧姆的最大动态阻抗,意味着它在进行电压稳压时自身损耗极低,响应迅速,能有效提升整体能效。极低的反向泄漏电流(仅100nA @ 15V)和正向压降(900mV @ 10mA),进一步减少了不必要的功率损耗,特别适合电池供电或对功耗敏感的应用。当您需要稳定可靠的20V齐纳二极管时,它就是那个不会让您失望的选择。为确保您获得原装正品与及时的技术支持,我们推荐您通过专业的DIODES一级代理进行采购。

总而言之,MMBZ5250BW-7-F集高精度、低功耗、宽温域和小尺寸于一身,是工程师在电压基准、稳压和保护电路设计中的理想伙伴。它将复杂的技术参数转化为简单可靠的产品性能,让您的创意设计无后顾之忧,全力释放产品的市场潜力。

  • 型号:MMBZ5250BW-7-F
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-323
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 描述:DIODE ZENER 20V 200MW SOT323
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):20 V
  • 容差:±5%
  • 功率 - 最大值:200 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):25 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 15 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SC-70,SOT-323
  • 供应商器件封装:SOT-323
  • 想获取MMBZ5250BW-7-F的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在寻找一颗能精准“锁定”20V电压的可靠卫士吗?MMBZ5250BW-7-F齐纳二极管正是为您而来。它能在您的电路中建立一个稳定的电压基准,或作为有效的电压钳位器,轻松吸收意外的电压尖峰,保护后续昂贵的核心芯片免受损害。

这颗芯片能让您的设计更稳健、更高效。其±5%的精度让电压输出值得信赖,而低至25欧姆的动态阻抗和微安级的反向泄漏电流,则显著降低了稳压过程中的自身损耗,特别有助于提升电池供电设备的续航。采用微小的SOT-323表面贴装封装,它能轻松融入高密度的现代电路板布局,节省宝贵空间。

无论是用于便携设备、通信模块还是工业控制单元,MMBZ5250BW-7-F都能在-65°C至150°C的严苛环境下稳定工作,是您构建高可靠性电子系统的得力助手。

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