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MMBZ5248BW-7-F的图片

MMBZ5248BW-7-F

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分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:DIODE ZENER 18V 200MW SOT323
原厂封装:封装:SOT-323
优势价格,MMBZ5248BW-7-F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MMBZ5248BW-7-F的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

在追求极致稳定性的电子设计中,您是否曾为电压波动带来的系统风险而困扰?当精密电路遭遇意外浪涌,如何确保关键元件安然无恙?今天,我们为您带来一个微小却强大的解决方案MMBZ5248BW-7-F,这颗来自Diodes Incorporated的18V齐纳二极管,正是您电路中的“定海神针”。它不仅仅是一个保护元件,更是您产品可靠性的坚实基石,让每一次电压冲击都化为无形,守护着系统的每一次平稳运行。

想象一下,在便携式消费电子、物联网传感器模块或车载辅助设备的电源管理路径中,MMBZ5248BW-7-F正默默发挥着关键作用。它凭借精准的18V±5%钳位电压,能将可能损害敏感IC的过压牢牢锁住。其低至21欧姆的最大动态阻抗,意味着在发生浪涌时,它能迅速响应,将电压稳定在安全范围,避免后续电路遭受冲击。无论是为微控制器的I/O口提供ESD保护,还是在DC-DC转换器输出端作为稳压参考,这颗芯片都能无缝融入您的设计,在-65°C至150°C的严苛温度范围内稳定工作,适应从极寒户外到高温引擎舱的各种挑战。

选择MMBZ5248BW-7-F,就是选择了一份省心与高效。它采用紧凑的SOT-323表面贴装封装,为日益小型化的PCB布局节省了宝贵空间。200mW的功率处理能力,在同类产品中表现出色,足以应对大多数低功耗场景的瞬态过压。其极低的反向泄漏电流(仅100nA @ 14V)和正向压降(900mV @ 10mA),确保了它在执行保护职责时,对系统功耗的影响微乎其微。这意味着您无需在保护性能和能效之间做出妥协。当您需要可靠、高品质的二极管解决方案时,通过值得信赖的DIODES代理获取这颗有源状态的成熟产品,无疑是加速项目上市、提升终端产品口碑的明智之举。让MMBZ5248BW-7-F成为您设计中不可或缺的守护者,为创新保驾护航。

  • 型号:MMBZ5248BW-7-F
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-323
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 描述:DIODE ZENER 18V 200MW SOT323
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18 V
  • 容差:±5%
  • 功率 - 最大值:200 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):21 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 14 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SC-70,SOT-323
  • 供应商器件封装:SOT-323
  • 想获取MMBZ5248BW-7-F的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您正在寻找一款能精准稳压、可靠保护电路的核心元件吗?MMBZ5248BW-7-F正是这样一款专为精密保护而生的齐纳二极管。它能将电压精准钳位在18V,容差仅为±5%,有效防止过压浪涌对后端敏感芯片造成损害,让您的设计从此告别电压波动带来的不确定性。

这颗芯片采用超紧凑的SOT-323封装,非常适合空间受限的现代电子产品。其高达200mW的功率处理能力和低至21欧姆的动态阻抗,让它在应对瞬态冲击时反应迅速、表现稳健。无论是用于电源轨的稳压,还是为信号线提供ESD保护,它都能让您的系统运行更加稳定可靠,大幅提升产品的耐用性和市场竞争力。

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