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MMBZ5245BQ-7-F的图片

MMBZ5245BQ-7-F

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分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:DIODE ZENER 15V 350MW SOT23
原厂封装:封装:SOT-23-3
优势价格,MMBZ5245BQ-7-F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MMBZ5245BQ-7-F的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

在追求极致稳定性的电子设计中,您是否曾为电压波动带来的系统风险而困扰?当精密电路遭遇意外浪涌,一个可靠的保护方案往往决定了产品的成败。今天,我们为您带来一款在微小封装内蕴藏强大守护能量的解决方案MMBZ5245BQ-7-F齐纳二极管。它不仅仅是一个元件,更是您电路设计中值得信赖的“电压卫士”,以高达350mW的功率处理能力和±5%的精准稳压容差,为您的核心电路筑起第一道坚固防线。

想象一下,在便携式消费电子、物联网传感器节点或车载信息娱乐系统中,空间极其宝贵,但稳定性要求却分毫不能妥协。MMBZ5245BQ-7-F正是为此而生。其经典的SOT-23-3超小型表面贴装封装,能轻松融入高密度PCB布局,毫不占用宝贵空间。无论是为微处理器、存储器或模拟IC的15V供电线路提供精准的电压箝位,还是在-65°C至150°C的严苛工作温度范围内保持稳定性能,它都能游刃有余。其低至16欧姆的最大动态阻抗(Zzt)意味着在负载变化时,它能更有效地维持电压稳定,而100nA@11V的极低反向泄漏电流,则确保了在待机或休眠状态下几乎为零的额外功耗,完美契合现代电子设备对能效的苛刻追求。

选择MMBZ5245BQ-7-F,就是选择了一份由Diodes Incorporated品质背书的安心。这颗“有源”状态的明星产品,以其卓越的可靠性和一致性,成为工程师在过压保护、电压参考和电平转换应用中的首选。它让您的设计不仅获得了硬件层面的保护,更赢得了市场层面的竞争优势更稳定的产品表现,更长的使用寿命,以及更低的现场故障率。如果您正在寻找一个能提升产品整体可靠性的关键组件,通过值得信赖的DIODES中国代理获取这颗芯片,无疑是迈向成功设计最明智、最高效的一步。让MMBZ5245BQ-7-F成为您下一个爆款产品中沉默却不可或缺的英雄,守护每一份创意,稳定每一刻运行。

  • 型号:MMBZ5245BQ-7-F
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-23-3
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 描述:DIODE ZENER 15V 350MW SOT23
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V
  • 容差:±5%
  • 功率 - 最大值:350 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):16 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 11 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装:SOT-23-3
  • 想获取MMBZ5245BQ-7-F的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您是否希望为15V电源轨找到一个既精准又可靠的“安全阀”?MMBZ5245BQ-7-F齐纳二极管正是您的理想之选。它能将电压精准箝位在15V(±5%容差),有效吸收意外浪涌,为核心集成电路提供坚实的过压保护,让您的设计免受电压尖峰的侵害。

这颗芯片采用超紧凑的SOT-23-3封装,让您能在极其有限的空间内轻松实现高性能电路保护。其高达350mW的功耗能力和宽达-65°C至150°C的工作温度范围,确保了在各种严苛环境下都能稳定工作。同时,极低的反向泄漏电流帮助您优化系统整体能效,实现高效又可靠的设计。

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