MMBT3904LP-7

在追求极致小型化的电子设计浪潮中，您是否还在为传统晶体管占用过多宝贵PCB空间而烦恼？现在，一颗划时代的微型化解决方案已经到来MMBT3904LP-7，它将NPN晶体管的卓越性能，浓缩于仅1.0mm x 0.6mm的超微型封装之内，为您的高密度电路设计开启全新可能。这不仅仅是一个元件的缩小，更是设计自由度的一次飞跃，让您的产品在性能和体积的平衡上占据绝对优势。

这颗来自Diodes Incorporated的明星产品，天生就是为了应对严苛环境与紧凑空间的双重挑战。其高达40V的集射极击穿电压和200mA的集电极电流能力，确保了在各类信号放大、开关控制及负载驱动应用中的稳定与可靠。无论是汽车电子中需要耐受剧烈温度变化的控制模块，还是便携式消费电子里对功耗与空间都极其敏感的电路部分，MMBT3904LP-7都能游刃有余。它符合AEC-Q101车规标准，工作温度横跨-55°C至150°C，这意味着从冰天雪地到引擎舱旁的高温环境，它都能持续稳定工作，为您的产品注入全天候的可靠性基因。

选择MMBT3904LP-7，就是选择了一种高效的设计哲学。其极低的Vce饱和压降（仅300mV）意味着更小的导通损耗和更高的能效，直接助力于延长电池续航或降低系统发热。同时，高达300MHz的跃迁频率让它能轻松应对中高频信号处理任务，确保信号完整性。表面贴装的DFN1006-3封装不仅节省了板上空间，也简化了自动化生产流程，提升您的制造效率。当您需要稳定、优质的原厂货源与技术支持时，我们的DIODES中国代理团队随时待命，为您提供从选型到量产的全程服务保障。让这颗高性能微型晶体管，成为您下一个成功产品中不可或缺的“核心动力”。

• 型号:MMBT3904LP-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X1-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
• 描述:TRANS NPN 40V 0.2A X1-DFN1006-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 晶体管类型:NPN
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:200 mA
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:40 V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:300mV @ 5mA，50mA
• 电流 - 集电极截止（最大值）:-
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:100 @ 10mA，1V
• 功率 - 最大值:250 mW
• 频率 - 跃迁:300MHz
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:3-UFDFN
• 供应商器件封装:X1-DFN1006-3
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想象一下，在指尖大小的空间内，集成一个性能强劲的信号开关与放大器。MMBT3904LP-7正是这样一款能为您实现设计梦想的NPN晶体管。它拥有40V耐压和200mA电流驱动能力，让您能轻松驾驭从逻辑电平转换到小型负载驱动的各类任务，其优异的直流电流增益（hFE最小值100）确保信号放大精准而高效。

这颗芯片采用先进的超微型DFN封装，能极大节省您的PCB布局空间，特别适合对体积有苛刻要求的便携式设备、可穿戴产品及高密度模组。同时，它符合汽车级AEC-Q101标准，具备-55°C至150°C的宽工作温度范围，让您的设计从容应对严酷环境挑战，提升终端产品的整体可靠性与竞争力。