MMBF170-7

在追求极致效率的电子设计领域，您是否还在为寻找一款能在紧凑空间内稳定处理中小功率开关任务的N沟道MOSFET而烦恼？今天，我们为您带来一个经过市场验证的可靠答案MMBF170-7。这款由Diodes Incorporated精心打造的MOSFET，以其60V的耐压能力和500mA的连续漏极电流，成为了众多便携设备、电源管理和信号切换应用中的幕后功臣。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品可靠性、简化电路设计的得力助手。

想象一下，在您的智能穿戴设备中，需要一颗小巧但强韧的“开关”来高效管理电池供电；或者在您的工业传感器模块里，需要一个可靠的信号路径选择器。这正是MMBF170-7大显身手的舞台。其SOT-23-3的超紧凑封装，让它能轻松融入空间受限的PCB布局，而-55°C至150°C的宽广工作温度范围，则确保了从消费电子到严苛工业环境下的稳定表现。无论是用于负载开关、电平转换，还是作为模拟开关的一部分，它都能以低至5欧姆的导通电阻（@10V Vgs）和仅40pF的输入电容，实现快速、高效的切换，最大限度地减少功率损耗和信号延迟。

选择MMBF170-7，就是选择了一份经过时间考验的成熟与稳定。尽管该型号目前已处于停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的应用口碑，使其在存量市场和特定延续性项目中依然具有极高的价值。对于寻求可靠、直接供货渠道的工程师和采购而言，通过值得信赖的DIODES一级代理进行询价与采购，是确保获得正品货源、获取专业技术支持的最佳途径。这颗芯片所代表的，是一种以精简设计应对复杂挑战的智慧，让您的产品在性能与成本之间找到完美平衡点，轻松驾驭各种中小功率的开关与控制需求。

• 型号:MMBF170-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):500mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 200mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:40 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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您正在寻找一颗能“默默耕耘”却至关重要的功率开关吗？MMBF170-7正是这样一位低调的实力派。它是一款N沟道MOSFET，核心使命就是为您高效、可靠地控制电路的通断。凭借60V的漏源电压和500mA的连续电流处理能力，它能轻松胜任各种中小功率的开关任务，无论是管理便携设备的电源路径，还是切换信号流向，都游刃有余。

这颗芯片的卓越之处在于其平衡的性能。仅需4.5V至10V的驱动电压即可实现低电阻导通，让您的控制电路设计更简单。超低的输入电容确保了快速的开关速度，而SOT-23-3的微型封装则为您节省宝贵的电路板空间。选择它，意味着您选择了一个经过验证的解决方案，让您的设计更加高效、紧凑且可靠。