MMBF170-7-F

在追求极致效率的电子设计领域，您是否还在为寻找一款既能承受适中电压、又能实现高效开关控制，同时保持超小体积的N沟道MOSFET而烦恼？现在，答案已经揭晓。让我们隆重介绍MMBF170-7-F，这颗来自Diodes Incorporated的微型功率开关明星，正以其卓越的性能重新定义紧凑型电路的可靠性边界。

想象一下，在您的手持设备、便携式医疗仪器或智能物联网模块中，需要一颗能够稳定处理60V电压、流畅控制500mA电流的开关。MMBF170-7-F正是为此而生。它采用先进的MOSFET技术，在仅需4.5V的低驱动电压下即可开启高效通路，导通电阻低至5欧姆，这意味着更低的导通损耗和更少的热量产生。无论是用于电源管理中的负载开关、信号路径切换，还是电机驱动中的PWM控制，它都能确保您的系统运行得更冷静、更持久。其宽广的-55°C至150°C工作结温范围，更是让它无惧严寒酷暑，在各种严苛环境下依然稳定如一。

选择MMBF170-7-F，不仅仅是选择了一颗元件，更是选择了一种面向未来的设计哲学。它经典的SOT-23-3封装，几乎不占用宝贵的PCB空间，让您的产品设计可以更加纤薄、紧凑。高达±20V的栅源电压耐受能力，提供了额外的设计余量和抗干扰保障。这颗芯片将高性能与高集成度完美结合，让工程师能够以更少的空间和功耗预算，实现更复杂、更可靠的功能。当您需要稳定可靠的供应链与技术支持时，请务必认准官方授权的DIODES代理，确保您获得的是百分百原装正品与专业服务。让MMBF170-7-F成为您下一个爆款产品中，那个虽小却至关重要的“心脏”，驱动创新，赢在未来。

• 型号:MMBF170-7-F
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):500mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 200mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:40 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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还在为电路板上的空间和效率发愁吗？MMBF170-7-F就是您期待的解决方案！这颗N沟道MOSFET就像一个高效、听话的微型开关，能轻松帮您控制高达60V电压、500mA电流的通路。无论是快速开启还是关断，它都能迅速响应，把能量损耗降到最低，让您的设备运行更省电、更凉爽。

它专为节省空间而设计，采用微小的SOT-23-3贴片封装，几乎不占地方，却能承受从-55°C到150°C的极端温度考验。把它用在您的电源管理、信号切换或电机控制电路中，您将立刻感受到系统稳定性与可靠性的显著提升。选择MMBF170-7-F，就是选择用一颗小小的芯片，释放您产品巨大的性能潜力。