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MBR20150SCT-E1的图片

MBR20150SCT-E1

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分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:DIODE ARR SCHOT 150V 10A TO2203
原厂封装:封装:TO-220-3
优势价格,MBR20150SCT-E1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MBR20150SCT-E1的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

在追求极致效率的电源设计中,您是否还在为整流环节的能量损耗而烦恼?当传统二极管带来高达1V以上的正向压降时,意味着每10A电流就会产生超过10W的无谓热损耗,这不仅降低了系统整体效率,更对散热设计提出了严峻挑战。现在,让我们向您介绍一款能够彻底改变这一局面的高效解决方案MBR20150SCT-E1。这款来自Diodes Incorporated的150V/10A肖特基整流器,以其革命性的低正向压降特性,将整流损耗大幅降低,让您的电源设计轻装上阵,释放更多性能潜力。

想象一下,在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源(UPS)或高功率LED照明驱动器中,整流桥或续流二极管的位置正是能量转换的关键节点。在这里,DIODES代理所推广的MBR20150SCT-E1能够大显身手。它采用先进的肖特基技术,在10A满载电流下,正向压降仅为900mV,相比普通快恢复二极管,其导通损耗可降低30%以上。这意味着更低的温升、更小的散热器尺寸,以及最终更紧凑、更可靠的整机设计。其150V的高反向耐压,为开关电源中的高频续流和整流应用提供了充足的安全裕度,确保系统在复杂工况下的稳定运行。

选择MBR20150SCT-E1,就是选择了一种面向高效未来的设计哲学。它不仅仅是一个元件,更是提升产品竞争力的关键。其快速恢复特性(<500ns)有效减少了开关损耗,特别适用于高频开关电源拓扑。TO-220-3的标准封装,兼顾了优异的散热能力和便捷的安装工艺,极大简化了您的生产流程。虽然该型号已进入停产状态,但其成熟的设计、卓越的性能和广泛的市场验证,使其成为许多经典和现有项目升级换代的理想选择。用它来替换老旧的整流方案,您将立刻体验到效率提升带来的直接效益更长的设备寿命、更低的运营成本,以及更出色的市场口碑。

  • 型号:MBR20150SCT-E1
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:TO-220-3
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
  • 描述:DIODE ARR SCHOT 150V 10A TO2203
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 二极管配置:1 对共阴极
  • 技术:肖特基
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):150 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):10A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 A
  • 速度:快速恢复 =\< 500ns,\> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr):-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 A @ 150 V
  • 工作温度 - 结:150°C(最大)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商器件封装:TO-220-3
  • 想获取MBR20150SCT-E1的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您正在寻找一颗能显著提升电源效率、降低系统发热的“能量卫士”吗?MBR20150SCT-E1正是为此而生。这颗150V/10A的肖特基整流器,凭借其低至900mV@10A的超低正向压降,能大幅削减整流环节的导通损耗,让您的电源设计轻松实现更高的能效转换,同时减少散热负担。

它采用快速恢复的肖特基技术,响应迅速,能有效胜任高频开关电源中的续流与整流任务。坚固的TO-220-3封装确保了出色的功率处理能力和散热性能,让您的产品在严苛环境下也能稳定高效运行。选择它,就是为您的设备注入一颗强劲而高效的“心脏”。

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