MBR10200CS2-G1

在追求极致效率的电源设计中，您是否还在为整流器件的功耗和散热问题而烦恼？当传统整流方案带来难以忽视的能量损耗时，MBR10200CS2-G1的出现，为您带来了一个截然不同的高效解决方案。这款来自Diodes Incorporated的200V肖特基二极管阵列，以其卓越的低正向压降特性，将整流环节的损耗大幅降低，让每一分电能都得到更充分的利用，直接转化为您产品的性能优势和市场竞争力。

这款芯片的舞台极为广阔，尤其在高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及不间断电源（UPS）等对效率和可靠性要求严苛的应用中，它能大放异彩。想象一下，在服务器电源或工业变频器中，DIODES代理商提供的MBR10200CS2-G1能够以高达5A的电流和200V的耐压从容工作，其快速恢复特性确保了在高频开关下的稳定表现，有效减少了开关噪声和电磁干扰。其TO-263（DPak）封装不仅提供了优异的散热能力，确保在150°C的高结温下依然稳定运行，其表面贴装形式也完美适配现代自动化生产线，让您的生产流程更加流畅高效。

选择MBR10200CS2-G1，就是选择了一种经过市场验证的可靠性与前沿性能的结合。它采用1对共阴极的肖特基阵列设计，简化了电路布局，节省了宝贵的PCB空间。相较于普通整流管，其低至950mV@5A的正向压降意味着更少的热量产生和更高的系统整体效率，这对于提升终端产品的能效等级和延长使用寿命至关重要。尽管该型号已处于停产状态，但其成熟的设计和卓越的性能指标，使其在特定存量市场和追求极致稳定性的设计中，依然是一个极具价值的经典选择。让这颗高效的“能量卫士”，为您的电源系统注入强劲而持久的动力。

• 型号:MBR10200CS2-G1
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-263
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
• 描述:DIODE ARRAY SCHOT 200V 5A TO-263
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 二极管配置:1 对共阴极
• 技术:肖特基
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:200 V
• 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）:5A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):950 mV @ 5 A
• 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):-
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150 A @ 200 V
• 工作温度 - 结:150°C（最大）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 供应商器件封装:TO-263
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还在寻找能显著提升电源模块效率的核心器件吗？MBR10200CS2-G1正是您期待的答案。这颗200V/5A的肖特基二极管阵列，专为高效整流而生，其超低的正向压降能大幅减少导通损耗，让您的设备运行更凉爽、更节能。

它采用快速恢复技术，轻松应对高频开关场景，确保系统响应敏捷、运行稳定。坚固的TO-263封装提供了出色的散热性能，结合表面贴装工艺，让您能轻松实现高可靠性的自动化生产部署，全面提升产品的功率密度和市场竞争力。