IMX8-7-F

在追求极致性能与可靠性的电子设计领域，您是否还在为信号放大、开关控制等关键电路寻找一颗既能承受高压冲击，又能保持稳定高效运行的“心脏”？答案就在IMX8-7-F。这颗来自Diodes Incorporated的双NPN晶体管阵列，以其高达120V的集射极击穿电压和140MHz的跃迁频率，为您的高压、高频应用场景提供了坚实保障，让您的设计不仅稳定，更能快人一步。

想象一下，在工业自动化控制板、通信模块的接口驱动，或是精密仪器仪表中，IMX8-7-F正以其卓越的性能默默工作。它能在-55°C至150°C的严苛温度范围内稳定运行，确保您的设备无论是在严寒的户外还是高温的机箱内部，都能精准无误地执行每一次开关与放大指令。其紧凑的SOT-23-6表面贴装封装，更是为空间受限的现代电子产品设计提供了极大的便利，让高密度布局成为可能。

选择IMX8-7-F，就是选择了一份安心与高效。它不仅仅是一个元件，更是您产品可靠性的一道坚固防线。其极低的集电极截止电流（仅500nA）意味着更低的功耗与更少的信号泄漏，而高达180的最小直流电流增益（hFE）则确保了出色的信号放大能力。当您需要可靠的供应链支持时，遍布全球的DIODES代理网络能确保您及时获得正品货源与专业的技术服务。从原型设计到量产，让IMX8-7-F成为您提升产品竞争力、赢得市场先机的秘密武器。

• 型号:IMX8-7-F
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 双极晶体管阵列
• 描述:TRANS 2NPN 120V 50MA SOT-26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 晶体管类型:2 NPN（双）
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:50mA
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:120V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:500mV @ 1mA，10mA
• 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO）
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:180 @ 2mA，6V
• 功率 - 最大值:300mW
• 频率 - 跃迁:140MHz
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-23-6
• 供应商器件封装:SOT-26
• 想获取IMX8-7-F的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为高压环境下的信号处理寻找可靠方案吗？IMX8-7-F双NPN晶体管阵列正是为您而来。它能轻松胜任高达120V电压下的开关与放大任务，其140MHz的高频特性让信号处理更加迅捷，助您构建响应灵敏、运行稳定的核心电路。

这颗芯片能为您做什么？它让您在工业控制、通信接口等应用中，实现高效、精准的信号驱动与逻辑电平转换。其优异的直流电流增益（hFE最小值180）和低至500mV的饱和压降，意味着更强的驱动能力和更低的能量损耗。采用紧凑的SOT-23-6封装，让您的PCB设计更灵活，空间利用率更高，轻松应对各种严苛的应用环境。