HTMN5130SSD-13

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一个集成了双N沟道MOSFET的解决方案，不仅能将导通电阻降至惊人的130毫欧，更能将栅极电荷控制在8.9nC以内，这意味着每一次开关都更迅速、更干净，能量损耗被大幅削减。这正是HTMN5130SSD-13为您带来的核心价值它不是简单的元器件，而是提升系统整体效率与可靠性的动力引擎。

无论是需要高效DC-DC转换的服务器电源，还是对空间和热管理极为苛刻的便携式设备，或是要求稳定驱动的电机控制单元，HTMN5130SSD-13都能游刃有余。其55V的漏源电压和2.6A的连续漏极电流，为中小功率应用提供了坚实的保障；宽广的-55°C至175°C工作结温范围，确保了它在严苛环境下依然稳定如一。这颗采用紧凑8-SOIC封装的双MOSFET阵列，让您在有限的PCB空间内实现更高的功率密度和更简洁的布局，从根本上简化设计难度，加速产品上市进程。

选择HTMN5130SSD-13，就是选择了一种经过验证的可靠性与卓越性能的平衡。它源自Diodes Incorporated的成熟工艺，其低导通电阻直接转化为更低的传导损耗，而优化的栅极电荷则显著降低了开关损耗，这两者的结合为您带来了前所未有的能效提升和温升控制。这意味着您的终端产品将拥有更长的续航、更小的散热器需求以及更安静的工作状态。当您寻求稳定可靠的供应与技术支持时，专业的DIODES代理商将是您值得信赖的伙伴，助您将这颗芯片的潜力转化为产品的市场竞争力。现在就采用HTMN5130SSD-13，为您的下一个设计注入高效与可靠的核心动力。

• 型号:HTMN5130SSD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:55V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.6A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.9nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:218.7pF @ 25V
• 功率 - 最大值:1.7W
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
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还在为寻找体积小巧、性能强劲的双MOSFET而烦恼吗？HTMN5130SSD-13正是您的理想答案。这颗芯片集成了两个独立的N沟道MOSFET，能轻松胜任开关、负载切换等关键任务，其130毫欧的低导通电阻和仅8.9nC的栅极电荷，让您的系统开关更迅捷，能耗更低，效率显著提升。

它能让您在设计DC-DC转换器、电机驱动或电源管理模块时更加得心应手。高达55V的耐压和2.6A的持续电流能力，为您的中小功率应用提供坚实保障；宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C）则确保了在各种环境下的稳定运行。选择它，就是选择了一种高效、可靠且节省空间的解决方案，助您轻松打造更具竞争力的产品。