FMMT413TD

在追求极致能效与稳定性的电子设计领域，您是否曾为寻找一颗能在严苛环境下稳定工作、同时兼具高性价比的通用型晶体管而烦恼？今天，我们为您带来的FMMT413TD，正是这样一颗能够完美平衡性能与成本的解决方案。它不仅仅是一个简单的NPN晶体管，更是Diodes Incorporated（美台半导体）凭借深厚技术底蕴，为现代紧凑型电子设备量身打造的能量核心。

这颗芯片的魅力，首先在于其卓越的通用性与可靠性。它采用经典的SOT-23-3表面贴装封装，体积小巧却蕴含强大能量。高达50V的集射极击穿电压和100mA的集电极电流能力，赋予了它应对各种电压波动和负载变化的从容底气。更令人印象深刻的是其极低的饱和压降，在10mA电流下仅150mV，这意味着在开关或放大应用中，它能将能量损耗降至最低，让您的系统运行更“冷静”，续航更持久。无论是消费电子中的信号放大、电源管理中的开关控制，还是工业自动化模块的逻辑驱动，FMMT413TD都能凭借其稳定的DC电流增益（hFE最小值50）和高达150MHz的跃迁频率，确保信号清晰、响应迅速，成为电路设计中值得信赖的“全能选手”。

当您的设计需要面对从-55°C到150°C的广阔温度范围挑战时，FMMT413TD的雪崩模式设计和坚固的构造便展现出巨大价值。它能够承受一定程度的过压冲击，提升了系统在恶劣电气环境下的生存能力。这种与生俱来的鲁棒性，让它在汽车电子、户外设备、工业控制等可靠性要求极高的场景中游刃有余。选择它，就是为您的产品选择了一份长期稳定的性能保障。我们合作的DIODES代理商网络完善，能够为您提供从样品到批量生产的全程支持，确保您能轻松、快捷地将这颗优质芯片集成到您的创新设计中。

归根结底，在元器件选型时，工程师们寻求的往往是在规格、可靠性和成本之间的最佳平衡点。FMMT413TD正是这一理念的杰出代表。它没有冗余的、用不上的奢华参数，而是在最常用的性能指标上做到了扎实和优秀。330mW的功率处理能力足以满足绝大多数低功耗应用需求，而其作为“有源”状态的标准产品，意味着长期稳定的供应和极具竞争力的价格。无论是用于新品开发还是现有产品升级，它都能帮助您有效控制BOM成本，同时毫不妥协地提升产品整体性能。让FMMT413TD成为您电路板上的标准配置，开启高效、可靠设计的新篇章。

• 型号:FMMT413TD
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
• 描述:TRANS NPN 50V 0.1A SOT-23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• 晶体管类型:NPN 雪崩模式
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:100 mA
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:50 V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:150mV @ 1mA，10mA
• 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:50 @ 10mA，10V
• 功率 - 最大值:330 mW
• 频率 - 跃迁:150MHz
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 想获取FMMT413TD的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您正在寻找一颗能轻松驾驭信号切换与放大任务的核心元件吗？FMMT413TD正是您的高效之选。这颗来自Diodes Incorporated的NPN晶体管，拥有50V耐压和100mA电流能力，配合仅150mV的低饱和压降，能让您的电路在开关或线性区域工作时损耗极低，运行更凉爽，显著提升能效。

它专为现代紧凑型设备优化，采用小巧的SOT-23-3封装，节省宝贵的PCB空间。同时，其宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）和雪崩模式设计，赋予了它出色的环境适应性与可靠性，让您的产品即使面对严苛的工业或汽车应用环境也能稳定如山。选择它，就是为您的设计注入一份从容与保障。