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ES1C-13-F的图片

ES1C-13-F

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分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:DIODE STANDARD 150V 1A SMA
原厂封装:封装:SMA
优势价格,ES1C-13-F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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ES1C-13-F的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

在追求极致能效的电子设计领域,您是否还在为整流电路的效率瓶颈和空间占用而烦恼?现在,答案来了。我们隆重推出ES1C-13-F,这颗来自Diodes Incorporated的通用快速恢复整流二极管,正是为突破这些限制而生。它不仅仅是一个元件,更是您提升产品性能、优化设计布局的得力助手。

想象一下,在您的开关电源、DC-DC转换器或极性保护电路中,一颗芯片就能带来显著改变。ES1C-13-F凭借其高达150V的反向电压和1A的平均整流电流,为您的电路提供了坚固可靠的屏障。更令人振奋的是,它在1A电流下仅920mV的超低正向压降,意味着更少的能量以热量的形式被浪费,直接转化为更高的系统效率和更长的运行时间。其快速恢复特性(反向恢复时间仅25ns)能显著减少开关损耗,让您的电源在高频下工作得更加稳定、安静。

无论是紧凑的消费类电子产品适配器,还是对可靠性要求严苛的工业控制设备,ES1C-13-F都能完美融入。它采用标准的SMA表面贴装封装,不仅节省了宝贵的PCB空间,也简化了自动化生产流程,让您的产品在小型化和高密度集成设计上游刃有余。选择它,就是选择了一种兼顾高性能与高性价比的解决方案。当您需要稳定可靠的供货和技术支持时,专业的DIODES代理商将是您坚实的后盾,确保您的项目从设计到量产一路畅通。

为何众多工程师在众多选项中青睐ES1C-13-F?因为它精准地平衡了关键参数。极低的反向泄漏电流(仅5A @ 150V)和微小的结电容(10pF @ 4V),共同确保了其在关断状态下的高绝缘性和在高频应用中的优异表现。这颗芯片的价值,在于它用扎实的数据和稳定的性能,默默守护着您电路中的每一份能量,让您的产品在激烈的市场竞争中,凭借出色的能效和可靠性脱颖而出。现在就为您的下一个设计注入这份高效与稳定吧。

  • 型号:ES1C-13-F
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SMA
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
  • 描述:DIODE STANDARD 150V 1A SMA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 技术:标准
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):150 V
  • 电流 - 平均整流 (Io):1A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):920 mV @ 1 A
  • 速度:快速恢复 =\< 500ns,\> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr):25 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 A @ 150 V
  • 不同Vr、F 时电容:10pF @ 4V,1MHz
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:DO-214AC,SMA
  • 供应商器件封装:SMA
  • 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C
  • 想获取ES1C-13-F的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在寻找一颗能兼顾高效、快速与紧凑的整流核心吗?ES1C-13-F正是您理想的答案。这颗通用快速恢复整流二极管,旨在让您的电源设计事半功倍。

它能为您做什么?它拥有150V的高耐压和1A的整流能力,为电路提供坚固保护。其最大亮点在于高达1A电流时仅920mV的超低正向压降,能显著减少导通损耗,直接提升您的系统整体能效。同时,快至25ns的反向恢复时间,能有效抑制开关噪声和损耗,让高频开关电源运行得更稳定、更安静。

采用SMA表面贴装封装,它让您能轻松实现高密度PCB布局,非常适合空间受限的现代电子设备。选择ES1C-13-F,就是选择了一个让设计更高效、产品更具竞争力的可靠伙伴。

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