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DZ23C12Q-7-F的图片

DZ23C12Q-7-F

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分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 齐纳二极管阵列
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:DIODE ZENER ARRAY 12V SOT-23-3
原厂封装:封装:SOT-23-3
优势价格,DZ23C12Q-7-F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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DZ23C12Q-7-F的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

在追求极致稳定性的电路设计中,您是否曾为电压波动带来的系统风险而困扰?当12V关键节点需要坚如磐石的守护时,DZ23C12Q-7-F齐纳二极管阵列,正是您期待已久的解决方案。它不仅仅是一个保护元件,更是您产品可靠性的基石,以±5.41%的精密容差和仅20欧姆的动态阻抗,将电压牢牢锁定在预设值,为后续精密电路筑起第一道也是最关键的一道防线。

想象一下,在您的便携式设备、通信模块或电源管理单元中,这颗微小的SOT-23封装芯片正在默默工作。无论是作为电压基准源,为ADC提供精准的参考;还是在瞬态电压抑制(TVS)应用中,快速钳位并吸收意外的浪涌能量,保护昂贵的核心IC;亦或是在简单的稳压电路中,确保逻辑电平的清晰与稳定。它的身影遍布消费电子、工业控制乃至汽车电子领域,其宽广的-65°C至150°C工作结温范围,意味着它能从容应对从极寒到酷热的严苛环境挑战,让您的产品无惧温度变迁,始终稳定如一。

选择DZ23C12Q-7-F,就是选择了一份省心与高效。其1对共阴极的集成设计,简化了PCB布局,节省了宝贵的板级空间。300mW的功率处理能力,在同类SOT-23封装产品中表现出色,提供了更高的设计余量。更低的9V下仅100nA反向泄漏电流,意味着它在守护电压的同时,自身功耗极低,有助于提升系统整体能效。当您需要可靠、高效且易于采购的齐纳解决方案时,与专业的DIODES代理商合作,不仅能确保您获得原装正品和稳定的供货支持,更能获得专业的技术选型建议,让您的产品从设计之初就赢在起跑线上。

  • 型号:DZ23C12Q-7-F
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-23-3
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 齐纳二极管阵列
  • 描述:DIODE ZENER ARRAY 12V SOT-23-3
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 配置:1 对共阴极
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V
  • 容差:±5.41%
  • 功率 - 最大值:300 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):20 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 9 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):-
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装:SOT-23-3
  • 想获取DZ23C12Q-7-F的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您是否在寻找一款能精准稳压、高效防护且节省空间的电路卫士?DZ23C12Q-7-F正是为此而生!这颗来自Diodes Incorporated的齐纳二极管阵列,核心使命就是为您提供12V的精准电压基准与可靠的过压保护。它采用紧凑的SOT-23-3封装,却集成了共阴极对管,让您的PCB布局更简洁,空间利用更高效。

它能让您的设计轻松应对各种挑战:其±5.41%的精密容差确保电压基准高度准确;高达300mW的功率处理能力和仅20欧姆的动态阻抗,意味着它能快速、有效地钳位浪涌,保护后端敏感电路;超低的反向泄漏电流和宽广的工作温度范围(-65°C ~ 150°C),则保证了系统在各类环境下的长期稳定与低功耗运行。选择它,就是为您的产品选择了一份坚实的可靠性保障。

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