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DVR3V3W-7的图片

DVR3V3W-7

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:TRANS NPN 18V 1A SOT-363
原厂封装:封装:SOT-363
优势价格,DVR3V3W-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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DVR3V3W-7的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

在追求极致效率与稳定性的电子设计领域,您是否还在为信号切换、负载驱动或电平转换电路中的那颗关键晶体管而反复权衡?今天,我们为您带来一个集高性能、高集成度与卓越可靠性于一体的解决方案DVR3V3W-7。这颗来自Diodes Incorporated的明星产品,不仅仅是一个简单的NPN晶体管,它内部集成的齐纳二极管,为您省去了额外的保护电路设计,让您的电路板布局更简洁,性能更稳健。

想象一下,在便携式设备的电源管理模块中,它能够高效地完成开关任务,1A的集电极电流和18V的耐压能力足以应对大多数低压场景;在各类传感器信号的前级放大或缓冲电路中,其高达150倍的直流电流增益和100MHz的过渡频率,确保了信号的高保真与快速响应。无论是消费电子、工业控制还是通信模块,DVR3V3W-7都能凭借其SOT-363超小型封装,轻松嵌入空间受限的设计,同时其宽广的-55°C至150°C工作结温范围,让您的产品无惧严苛环境挑战,从冰天雪地到炎热车间,始终稳定运行。

选择DVR3V3W-7,就是选择了一份经过市场验证的安心与高效。它将晶体管与齐纳二极管巧妙融合,不仅简化了您的物料清单(BOM),更显著提升了系统的整体可靠性。极低的饱和压降(最大500mV)意味着更小的功率损耗和更长的电池续航,而微安级的集电极截止电流则保障了系统的待机功耗处于极低水平。对于追求快速上市和成本优化的项目,这颗芯片无疑是加速产品开发进程的利器。如需获取样品或技术支持,我们的DIODES中国代理团队随时准备为您提供专业、及时的服务,助您将创意迅速转化为具有市场竞争力的产品。

  • 型号:DVR3V3W-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-363
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS NPN 18V 1A SOT-363
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:NPN + 齐纳二极管(隔离式)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):18 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 30mA,300mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值):1A(ICBO)
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):150 @ 100mA,1V
  • 功率 - 最大值:200 mW
  • 频率 - 跃迁:100MHz
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商器件封装:SOT-363
  • 想获取DVR3V3W-7的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为电路保护与信号处理需要两颗芯片而烦恼吗?DVR3V3W-7为您提供了一站式解决方案!这颗集成了齐纳二极管的NPN晶体管,让您轻松实现高效的开关控制、信号放大或电平转换,同时内置的齐纳管为您的电路提供可靠的电压钳位保护,简化设计,提升系统稳健性。

它拥有1A的驱动能力和18V的耐压,配合高达150倍的电流增益与100MHz的切换速度,确保您的应用响应迅速、动力十足。其超小的SOT-363封装和宽广的工作温度范围(-55°C ~ 150°C),更能让您的产品设计更加灵活,从容应对各种紧凑空间与环境挑战。

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