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DMTH8012LPSQ-13的图片

DMTH8012LPSQ-13

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分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:MOSFET N-CH 80V 10A PWRDI5060
原厂封装:封装:PowerDI5060-8
优势价格,DMTH8012LPSQ-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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DMTH8012LPSQ-13的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

在追求极致能效与可靠性的道路上,您的下一个设计是否正被功率转换效率的瓶颈所困扰?想象一下,一个核心开关器件,不仅能在严苛的汽车电子环境中稳定运行,更能将导通损耗降至新低,从而为整个系统释放出宝贵的能量与空间。这正是DMTH8012LPSQ-13所带来的变革性价值。它不仅仅是一颗MOSFET,更是您提升产品竞争力、迈向更高能效目标的战略伙伴。

这颗来自Diodes Incorporated的N沟道功率MOSFET,天生为应对挑战而设计。其80V的漏源电压和高达10A(Ta)/72A(Tc)的连续漏极电流能力,为各种中高功率应用提供了坚实的保障。更令人印象深刻的是,在10V驱动电压下,其导通电阻(Rds(On))低至惊人的17毫欧。这意味着在相同的电流下,芯片自身产生的热量大幅减少,电能得以更高效地传输,直接转化为您终端产品更长的续航、更低的温升以及更紧凑的散热设计。无论是面对瞬间大电流冲击,还是需要持续稳定的功率输出,它都能游刃有余,确保系统心脏强劲而平稳地跳动。

将视野投向其大显身手的舞台,DMTH8012LPSQ-13无疑是汽车电子领域的明星。它完全符合AEC-Q101车规标准,工作温度横跨-55°C至175°C的极端范围,从容应对引擎舱的酷热与严寒地区的冰冷。从高效的DC-DC转换器、电机驱动控制,到LED照明驱动和电池管理系统(BMS),它的身影无处不在。在工业自动化领域,它同样是伺服驱动器、电源和负载开关的理想选择,其低栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss)特性,使得开关速度更快,开关损耗更低,让高频开关应用变得前所未有的高效。选择它,就是为您的产品注入了符合汽车级可靠性的基因。

那么,在纷繁的元器件市场中,为何它值得成为您的首选?答案在于其卓越的综合性能与Diodes一贯的高品质承诺。PowerDI5060-8封装在提供强大功率处理能力(136W @ Tc)的同时,保持了极佳的散热性能和占板面积优势,非常适合空间受限的现代设计。其4.5V的低栅极驱动电压阈值,使其能与多种主流控制器轻松配合,简化您的驱动电路设计。当您通过正规的DIODES授权代理渠道获取这颗芯片时,您获得的不仅是产品本身,更是从源头保障的供应链安全、可靠的技术支持以及长期稳定的供货承诺。这确保了您的项目从研发到量产全程无忧。

总而言之,DMTH8012LPSQ-13以其车规级的坚固、超低的导通损耗和强大的电流处理能力,正重新定义中功率应用的性能标准。它不只是一个组件,更是您释放设计潜力、打造下一代高可靠性、高效率产品的关键钥匙。立即深入了解它,开启您设计旅程的新篇章。

  • 型号:DMTH8012LPSQ-13
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:PowerDI5060-8
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 80V 10A PWRDI5060
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):80 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A(Ta),72A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):17 毫欧 @ 12A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):46.8 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2051 pF @ 40 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):2.6W(Ta),136W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:PowerDI5060-8
  • 封装/外壳:8-PowerTDFN
  • 想获取DMTH8012LPSQ-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您是否正在寻找一颗能同时征服高效能与高可靠性挑战的功率开关?DMTH8012LPSQ-13正是您的答案。这颗N沟道MOSFET拥有80V耐压和10A连续电流能力,其核心魅力在于超低的17毫欧导通电阻,能显著减少开关过程中的功率损耗,让您的电源转换或电机驱动方案运行得更凉、更高效。

它专为严苛环境打造,通过AEC-Q101车规认证,工作温度范围宽至-55°C ~ 175°C,是汽车电子(如DC-DC、LED驱动)和工业应用的理想心脏。采用先进的PowerDI5060-8封装,在提供强大散热能力的同时节省宝贵空间。选择它,让您轻松实现更紧凑、更可靠、性能更出众的产品设计。

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