DMTH8012LPS-13

在追求极致能效的电力转换设计中，您是否曾为寻找一款既能承受高压冲击，又能保持低导通损耗的功率开关而烦恼？现在，答案已经揭晓。DMTH8012LPS-13正是为应对此类挑战而生的高性能N沟道MOSFET，它将80V的坚固耐压与仅17毫欧的超低导通电阻完美结合，意味着在您的电路中，每一次开关动作都伴随着更少的能量浪费和更低的温升，直接转化为系统整体效率的显著提升和运行稳定性的飞跃。

想象一下，在紧凑的AC-DC适配器、高效的服务器电源模块或是要求严苛的工业电机驱动中，空间和散热往往是设计的瓶颈。DMTH8012LPS-13采用的先进PowerDI5060封装，不仅实现了超小的占板面积，其卓越的热性能设计更能将高达136W（Tc）的功率耗散出去，让您的产品在狭小空间内也能游刃有余地处理大电流任务。无论是面对消费电子中快速充电的瞬态需求，还是汽车电子里必须稳定的辅助电源，这颗芯片都能提供可靠、高效的开关性能，确保终端设备动力澎湃且持久耐用。

选择DMTH8012LPS-13，就是选择了一份经过市场验证的卓越与可靠。它源自Diodes Incorporated的成熟技术平台，其宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C）确保了在极端环境下依然稳定如一。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的应用验证，使其成为特定高要求项目或现有产品维护升级的珍贵之选。对于正在寻找可靠货源进行设计定型或备货的工程师，通过专业的DIODES中国代理，您依然可以获取到高品质的原装产品和技术支持，为您的设计成功加上一道坚实的保险。这不仅仅是一颗MOSFET，更是您提升产品竞争力、赢得市场先机的强大助力。

• 型号:DMTH8012LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 10A PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Ta），72A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:17 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1949 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.6W（Ta），136W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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还在为电源转换效率难以突破而困扰吗？DMTH8012LPS-13将彻底改变您的设计体验。这颗80V/10A的N沟道MOSFET，凭借其低至17毫欧的导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的电源模块或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它采用紧凑的PowerDI5060表面贴装封装，不仅节省宝贵的PCB空间，其优异的散热能力更能轻松应对高达136W的功率耗散。无论是用于提升适配器的能效，还是强化工业设备的驱动能力，它都能让您以更小的体积和更高的可靠性，实现强大的功率处理性能。