DMTH8012LK3Q-13

在追求极致能效的电力电子世界，您是否正在寻找一款能在严苛环境下稳定输出、同时保持低损耗的功率开关解决方案？今天，我们为您带来一个令人振奋的答案DMTH8012LK3Q-13。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其80V的耐压和高达50A的连续电流能力，正重新定义着中高功率应用的性能标杆。想象一下，当您的电源转换系统或电机驱动方案，因为开关器件的导通电阻过高而持续发热、效率低下时，那种无力感是否让您倍感压力？DMTH8012LK3Q-13的出现，正是为了终结这一切。

它的卓越之处，首先体现在那令人惊叹的16毫欧超低导通电阻上。在10V驱动电压、12A电流的条件下，这个数值意味着更少的能量以热量的形式被浪费，更多的功率被有效传递到负载端。无论是服务器电源中需要高效进行DC-DC转换的同步整流环节，还是工业自动化设备里驱动电机频繁启停的H桥电路，亦或是新能源汽车OBC（车载充电机）中处理能量流动的关键路径，这颗芯片都能以冷静、高效的姿态从容应对。其高达175°C的结温工作能力和符合AEC-Q101车规标准的品质，更是为它在汽车电子、户外通信电源等可靠性要求极高的场景中，赢得了无可替代的信任票。选择它，就是为您的产品注入了稳定与耐用的基因。

那么，在众多同类产品中，为何DMTH8012LK3Q-13能脱颖而出，成为您的明智之选？答案在于它精准的性能平衡与卓越的易用性。46.8nC的低栅极电荷，配合4.5V/10V的优化驱动电压范围，意味着它既能被常见的控制器轻松驱动，实现快速的开关速度以降低开关损耗，又避免了因驱动过于复杂而增加系统成本。TO-252（D-Pak）的经典封装，在提供出色散热能力的同时，也兼顾了PCB布局的便利性和生产的可制造性。这一切精心的设计，都旨在让您的研发过程更顺畅，让最终产品的市场竞争力更强大。当您需要可靠、高性能的功率半导体解决方案时，别忘了我们作为专业的DIODES一级代理，不仅能为您提供这颗出色的芯片，更能带来全面的技术支持和供应链保障。让DMTH8012LK3Q-13成为您下一个成功产品的强大心脏，开启高效、可靠的新篇章。

• 型号:DMTH8012LK3Q-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 50A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2051 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.6W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 想获取DMTH8012LK3Q-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为功率转换电路的效率瓶颈和发热问题烦恼吗？让DMTH8012LK3Q-13为您带来焕然一新的解决方案。这颗80V/50A的N沟道MOSFET，凭借低至16毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它专为要求严苛的应用而生。符合AEC-Q101车规标准，结温工作范围宽达-55°C至175°C，确保在汽车电子、工业控制等恶劣环境下依然稳定可靠。其优化的栅极电荷和驱动电压，让您能够轻松匹配主流控制器，快速实现设计，加速产品上市进程。