DMTH8012LK3-13

想象一下，您的下一个电源设计项目，是否还在为开关损耗、散热效率或空间限制而妥协？当性能与可靠性成为不可退让的底线时，您需要的不仅是一个组件，而是一个能驱动系统飞跃的解决方案。今天，我们为您带来这样一颗能重塑标准的功率器件DMTH8012LK3-13。它不仅仅是一个80V N沟道MOSFET，更是效率、功率密度与可靠性的完美融合体，专为应对严苛的现代电力电子挑战而生。

这颗芯片的强大，首先体现在其令人瞩目的低导通电阻上在10V驱动下，仅16毫欧的Rds(on)值，意味着在高达50A的连续电流下，导通损耗被压缩到极致。无论是服务器电源中需要处理大电流的同步整流环节，还是工业电机驱动中频繁开关的桥臂，它都能显著降低温升，提升整体能效。其优化的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss）特性，确保了快速、干净的开关动作，让您的系统在追求高频高效的同时，依然保持稳定与宁静。从-55°C到175°C的宽广结温工作范围，更是赋予了它无与伦比的环境适应能力，无论是严寒还是酷热，性能始终如一。

将视野投向更广阔的应用天地，您会发现DMTH8012LK3-13的身影无处不在。在数据中心，它是高密度电源模块实现高效电能转换的核心开关；在新能源领域，它助力光伏逆变器或储能系统的DC-DC变换器，以更低的损耗捕获每一份能量；在汽车电子中，如车载充电机(OBC)或LED驱动，其稳定的80V耐压和强大的电流处理能力，为安全与性能提供了双重保障。选择它，就是为您的产品注入了Diodes Incorporated深厚的工艺底蕴与品质承诺。我们专业的DIODES代理团队，不仅能确保您稳定获取这颗优质芯片，更能提供深入的技术支持与供应链保障，让您的创新之路畅通无阻。

最终，当您权衡选型时，理由变得清晰而有力：您选择的是一颗在性能参数上毫不妥协的功率MOSFET，一个经过市场验证的TO-252（D-Pak）封装解决方案，以及一个值得信赖的品牌伙伴。它让复杂的设计变得简单，让对效率的极致追求成为可能。拥抱DMTH8012LK3-13，不仅仅是选择了一颗芯片，更是为您下一代的电源与电机驱动系统，选择了一个更高效、更可靠、更具竞争力的未来起点。

• 型号:DMTH8012LK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 50A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1949 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.6W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在寻找那颗能同时征服高电流与高效率挑战的“核心开关”吗？DMTH8012LK3-13正是您期待的答案。这颗来自Diodes Incorporated的80V/50A N沟道MOSFET，凭借其极低的16毫欧导通电阻，能显著降低系统功耗与发热，让您的电源模块或电机驱动方案运行得更凉爽、更持久。

它为您带来的远不止于此。优化的开关特性让切换更快更干净，直接提升整体能效与响应速度；宽广的-55°C至175°C工作结温范围，则确保了它在各种严苛环境下都能稳定输出。无论是采用表面贴装的TO-252紧凑封装，还是其坚固可靠的设计，都旨在让您能更轻松地集成到高密度设计中，高效实现产品性能的飞跃。