DMTH8008SPS-13

在追求极致效率的电力电子设计中，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？今天，我们为您带来一个颠覆性的解决方案DMTH8008SPS-13。这款来自Diodes Incorporated的N沟道功率MOSFET，以其高达92A的连续漏极电流和仅为7.8mΩ的超低导通电阻，重新定义了80V应用场景下的性能标杆。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统整体能效、实现设计小型化的得力助手。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高密度DC-DC转换器中，每一次开关动作都伴随着能量的损耗。而DMTH8008SPS-13凭借其卓越的PowerDI5060-8封装和先进的MOSFET技术，能将这种损耗降至最低。其极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统在高频运行时依然保持冷静与高效。无论是应对严苛的工业环境（工作温度高达175°C），还是追求紧凑的消费类电子设计，它都能游刃有余，确保稳定可靠的功率传输。

选择DMTH8008SPS-13，就是选择了一种面向未来的设计哲学。它完美平衡了性能、尺寸与可靠性，让工程师无需在效率、成本和空间之间做出艰难妥协。其表面贴装形式简化了生产流程，而强大的功率处理能力（Tc下高达100W）则大幅减轻了散热设计的压力。当您需要可靠、高性能的功率开关解决方案时，与值得信赖的DIODES一级代理合作，获取正品DMTH8008SPS-13，无疑是加速项目成功、打造市场领先产品的明智之选。让它成为您下一个爆款产品的强大心脏，开启能效新纪元。

• 型号:DMTH8008SPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 92A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):92A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.8mOhm @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1950 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.6W（Ta），100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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还在寻找那颗能扛起大电流、低损耗重任的“核心开关”吗？DMTH8008SPS-13正是为您而来！这颗N沟道MOSFET拥有80V耐压和惊人的92A连续电流能力，其核心魅力在于低至7.8mΩ的导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉快、更高效。

它采用先进的PowerDI5060-8封装，不仅节省宝贵的PCB空间，其优异的散热特性更能确保在-55°C至175°C的宽广温度范围内稳定工作。无论是提升现有产品的能效，还是攻克紧凑型高功率密度设计难题，DMTH8008SPS-13都能让您轻松应对，是实现高性能、高可靠性设计的理想选择。