DMTH61M8LPS-13

想象一下，当您的电源管理系统需要在严苛环境下保持稳定输出，同时还要应对瞬间大电流冲击时，传统的功率器件是否常常让您感到力不从心？这正是DMTH61M8LPS-13大显身手的舞台。作为Diodes Incorporated精心打造的高性能N沟道MOSFET，它不仅仅是一个电子元件，更是您提升系统可靠性与效率的秘密武器。其惊人的225A连续漏极电流承载能力和仅1.6毫欧的超低导通电阻，意味着在能量转换过程中，损耗被降至极低，热量产生大幅减少，让您的设备运行得更冷静、更持久，直接将性能天花板推向新的高度。

无论是工业自动化中驱动重型电机，还是数据中心服务器电源的冗余备份，亦或是新能源车车载充电器(OBC)和电机驱动，DMTH61M8LPS-13都能游刃有余。其宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C）确保了从极寒到酷热的各种极端气候下，系统依然坚如磐石。采用先进的PowerDI5060-8封装，不仅提供了卓越的散热性能，其紧凑的表面贴装设计还为您节省了宝贵的PCB空间，让高功率密度设计成为可能。这意味着，您可以在更小的体积内实现更强大的功率处理能力，为产品的小型化和轻量化设计扫清障碍。

选择DMTH61M8LPS-13，就是选择了一份对卓越性能的承诺。它4.5V的低栅极驱动电压使其易于被主流控制器驱动，降低了系统设计的复杂度。同时，优化的栅极电荷（Qg）特性确保了高速开关性能，有效减少了开关损耗，特别适合高频开关电源应用。当您追求极致的能效、无与伦比的可靠性以及简化的热管理方案时，这颗芯片无疑是您的理想之选。要获得原厂正品保障与专业技术支持，我们推荐您通过官方授权的DIODES一级代理进行采购，确保每一颗芯片都能发挥其标称的巅峰性能，为您的产品注入强大的心脏。

• 型号:DMTH61M8LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 225A PWRDI
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):225A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.6 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:115.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8320 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.2W（Ta），187.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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还在为寻找一颗能同时兼顾大电流、低损耗和卓越散热的高性能MOSFET而烦恼吗？DMTH61M8LPS-13正是为您而来的解决方案。这颗N沟道功率MOSFET拥有60V的耐压和高达225A的电流处理能力，其核心魅力在于惊人的1.6毫欧超低导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源转换或电机驱动系统效率飙升，运行温度更低。

它采用先进的PowerDI5060-8封装，散热性能出众，轻松应对187.5W的功率耗散挑战。无论是用于服务器电源、工业电机控制还是新能源车载设备，它都能让您轻松实现高可靠性、高功率密度的设计目标，大幅提升终端产品的市场竞争力。