DMTH6005LK3Q-13

当您的下一代汽车电子或工业电源系统需要兼顾高功率密度与极致可靠性时，您是否正在寻找一颗能够承载重任的“核心引擎”？今天，我们为您带来的DMTH6005LK3Q-13，正是这样一款专为严苛应用而生的高性能N沟道MOSFET。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、确保系统稳定运行的坚实保障。

想象一下，在电动汽车的电机驱动模块中，电流需要被高效、精准地控制；在服务器电源或工业变频器中，每一次开关都关乎着整个系统的能效与寿命。这正是DMTH6005LK3Q-13大显身手的舞台。凭借高达90A的连续漏极电流和60V的漏源电压承受能力，它能够轻松驾驭大电流负载，而其低至5.6毫欧的导通电阻，意味着在传导过程中产生的热量损耗被降至极低，直接为您带来更高的系统效率和更低的温升。无论是应对瞬间的电流冲击，还是在-55°C至175°C的广阔温度范围内持续工作，它都展现出卓越的稳定性和耐久性，完全满足AEC-Q101车规级认证的严苛要求。

选择DMTH6005LK3Q-13，就是选择了一份放心的承诺。其TO-252-4L封装不仅提供了优异的散热性能，便于PCB布局设计，更能适应自动化表面贴装生产，助力您提升制造效率。这颗芯片将强大的功率处理能力、出色的热管理和车规级的可靠性完美融合，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。如果您正在规划一个不容有失的高性能项目，与专业的DIODES芯片代理合作，获取这颗经过市场验证的优质器件，无疑是迈向成功的关键一步。让DMTH6005LK3Q-13成为您产品动力系统的强大心脏，共同驱动创新，赢在未来。

• 型号:DMTH6005LK3Q-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 90A TO252-2
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):90A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.6 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:47.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2962 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在为寻找一颗能同时满足高效率、高可靠性和紧凑设计的功率开关而烦恼吗？DMTH6005LK3Q-13正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET拥有90A的强大电流承载能力和仅5.6毫欧的超低导通电阻，能显著降低您系统中的功率损耗，提升整体能效，让热量管理变得前所未有的轻松。

它专为汽车电子和工业应用打造，通过了AEC-Q101认证，确保即使在-55°C到175°C的极端温度环境下也能稳定工作。其TO-252-4L封装优化了散热与空间占用，让您的设计更紧凑、更高效。选择它，就是为您的电源管理、电机驱动或负载开关应用注入一颗强劲而可靠的核心。