DMTH6005LK3-13

在追求极致能效的今天，您的电源管理系统是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一款能在高功率密度下依然保持冷静高效的MOSFET，将如何彻底改变您的设计。现在，答案就在DMTH6005LK3-13。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道功率MOSFET，以其60V的耐压和高达90A的连续漏极电流能力，为您打开了通往下一代高性能电源设计的大门。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统可靠性、缩小产品体积并降低整体成本的关键引擎。

无论是服务器电源中要求严苛的同步整流，还是电动工具里需要瞬间爆发大电流的电机驱动，甚至是不断追求轻薄高效的汽车辅助电源系统，DMTH6005LK3-13都能轻松胜任。其超低的5.6毫欧导通电阻（在50A，10V条件下），意味着在传导过程中的能量损耗被降至极低，更多的电能被有效利用，而非转化为令人头疼的热量。这直接转化为更长的设备运行时间、更小的散热器需求，以及整个系统在-55°C至175°C的宽广结温范围内稳定运行的信心。当您的应用面临高温环境的挑战时，它卓越的热性能将成为最坚实的保障。

选择DMTH6005LK3-13，就是选择了一种经过市场验证的可靠性与前沿性能的结合。其优化的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss）特性，确保了快速、干净的开关切换，这对于高频开关电源提升效率、减少电磁干扰至关重要。经典的DPAK封装提供了优异的功率耗散能力（Tc条件下高达100W），并兼容成熟的表面贴装工艺，让您的生产导入轻松无虞。要获得如此卓越的元器件与稳定的供货支持，选择与官方授权的DIODES一级代理合作至关重要。这不仅是获得正品芯片的渠道，更是确保您的项目从研发到量产一路畅通的智慧决策。让DMTH6005LK3-13成为您下一个明星产品的强大心脏，共同创造更高能效的未来。

• 型号:DMTH6005LK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):90A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.6 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:47.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2962 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 想获取DMTH6005LK3-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在寻找那颗能扛起大电流、低损耗重任的核心开关器件吗？DMTH6005LK3-13正是为您而来的解决方案。它是一款N沟道MOSFET，拥有60V的漏源电压和惊人的90A连续电流处理能力，专为 demanding 的高功率应用而设计。

这颗芯片能为您做什么？它凭借低至5.6毫欧的导通电阻，大幅降低导通损耗，让您的电源转换效率显著提升，设备运行更凉爽、更持久。同时，其优异的开关特性帮助您轻松实现更高频率的设计，从而缩小被动元件的体积，助力产品小型化。无论是处理持续的高负载，还是应对瞬间的电流峰值，它都能提供稳定可靠的表现，让您的设计高效且充满信心。