DMTH6004SK3Q-13

当您的下一代汽车电子或工业电源设计面临效率瓶颈时，是否曾渴望一颗既能承载大电流，又能将损耗降至最低的功率开关解决方案？答案就在DMTH6004SK3Q-13。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其卓越的性能参数，正重新定义高效功率管理的标准。想象一下，在紧凑的TO-252封装内，竟能持续通过高达100A的电流，而导通电阻低至惊人的3.8毫欧，这意味着更少的能量以热量的形式白白浪费，更多的电能被高效地输送到负载端，直接为您的系统提升能效、延长续航并降低散热设计的复杂度。

它的舞台远不止于理论。在电动汽车的电机驱动、电池管理系统（BMS）中，DMTH6004SK3Q-13能够轻松应对频繁启停和高负载工况，确保动力输出澎湃而稳定。在工业自动化领域，无论是伺服驱动器还是大功率DC-DC转换器，其60V的耐压和优异的开关特性，都能保障设备在严苛环境下可靠运行。它更是符合AEC-Q101车规级认证，从容面对-55°C至175°C的极端温度挑战，将品质与耐用性深深烙印在每一个应用场景中，让您的产品从实验室走向广阔市场时，充满自信。

选择DMTH6004SK3Q-13，就是选择了一种面向未来的设计哲学。它不仅仅是一个元器件，更是您提升产品竞争力、实现差异化优势的关键伙伴。极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统频率可以更高，响应可以更迅捷。当您需要可靠、高性能的功率解决方案时，与专业的DIODES芯片代理合作，不仅能确保您获得正品货源和稳定的供应，更能获得深入的技术支持，让这颗强大的芯片在您的设计中发挥出百分之百的潜力。立即将DMTH6004SK3Q-13纳入您的设计库，开启高效、可靠的新一代电源与电机控制之旅。

• 型号:DMTH6004SK3Q-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.8 毫欧 @ 90A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:95.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4556 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.9W（Ta），180W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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您正在寻找一颗能扛起大梁、同时保持“冷静”的功率开关吗？DMTH6004SK3Q-13正是为此而生。这颗车规级N沟道MOSFET拥有60V耐压和100A的连续电流能力，其核心魅力在于超低的3.8毫欧导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的系统运行更高效、发热更少。

它旨在让您的设计工作变得轻松。高达180W的耗散功率和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C），确保了它在汽车电机驱动、工业电源等苛刻环境下的卓越可靠性。采用表面贴装的TO-252封装，兼顾了功率密度与焊接工艺的便利性，帮助您高效地完成PCB布局，加速产品上市进程。