DMTH6004SK3-13

在追求极致能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为寻找一颗既能承载大电流、又具备超低损耗的功率开关而困扰？今天，我们为您带来的DMTH6004SK3-13，正是为破解这一难题而生。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其60V的耐压和高达100A的连续漏极电流能力，重新定义了中高功率应用的性能标杆。想象一下，在您的电机驱动、电源转换或负载开关电路中，它能以仅3.8毫欧的超低导通电阻，将能量损耗降至最低，让每一分电力都转化为有效输出，而非无谓的热量。

无论是新能源汽车的OBC（车载充电器）、DC-DC转换器，还是工业自动化中的伺服驱动器、大功率LED照明电源，DMTH6004SK3-13都能游刃有余。其符合AEC-Q101车规标准的身份，意味着它历经了严苛的可靠性验证，能在-55°C至175°C的极端温度范围内稳定工作，从容应对振动、高温高湿等恶劣环境挑战。这意味着，您不仅为产品注入了强劲的“心脏”，更赋予了它应对复杂工况的坚韧“体魄”。选择它，就是为您的产品选择了一份经得起考验的耐久保障。

那么，在众多同类器件中，为何它值得您特别关注？答案在于其卓越的综合性能与易用性的完美平衡。高达180W（Tc）的功率耗散能力，配合TO-252（D-Pak）这种成熟可靠的表面贴装封装，既保证了出色的散热性能，又便于自动化生产，大幅提升您的制造效率。更低的栅极电荷（Qg）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让系统整体效率再上一个台阶。如果您正在寻找稳定可靠的供货渠道，我们的DIODES一级代理身份能确保您获得原厂正品与及时的技术支持。让DMTH6004SK3-13成为您下一个成功设计的强大基石，开启高效、可靠的电能控制新篇章。

• 型号:DMTH6004SK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.8 毫欧 @ 90A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:95.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4556 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.9W（Ta），180W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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您是否渴望为您的电源或电机控制项目找到一颗动力澎湃且高效节能的“核心开关”？DMTH6004SK3-13正是您理想的答案。这颗N沟道MOSFET拥有60V耐压和100A的强大电流吞吐能力，而其核心魅力在于仅3.8毫欧的超低导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽、效率更高。

它专为严苛环境而生，符合汽车级AEC-Q101标准，工作温度范围宽达-55°C至175°C，确保在各类挑战性应用中稳定可靠。采用经典的TO-252封装，兼顾了优异的散热性能和便捷的贴装工艺。选择它，意味着您轻松获得了一颗能大幅提升产品功率密度与可靠性的高性能器件，让您的设计在竞争中脱颖而出。