DMTH6004SCT

在追求极致效率的电力转换世界中，您是否还在为功率损耗和散热问题而困扰？想象一下，一个关键元件能将导通电阻降至惊人的3.65毫欧，让能量几乎毫无阻碍地通过，这不仅仅是参数的提升，更是系统性能和可靠性的革命性飞跃。今天，我们向您隆重介绍DMTH6004SCT，这颗来自Diodes Incorporated的N沟道功率MOSFET，正是为终结效率瓶颈而生。

当100A的强劲电流需要被精准、高效地控制时，DMTH6004SCT便是您最可靠的伙伴。其极低的Rds(on)特性，意味着在开关电源、电机驱动、电池管理系统等大电流应用场景中，它能将更多的电能转化为有用功，而非令人头疼的热量。无论是工业自动化设备中驱动重型电机，还是数据中心服务器电源进行高效DC-DC转换，亦或是新能源车充电模块中的关键开关，它都能游刃有余，确保系统在-55°C至175°C的严苛温度范围内稳定运行，提供坚如磐石的性能保障。

选择DMTH6004SCT，就是选择了一份从容与自信。它不仅仅是一个参数表上出色的晶体管，更是经过市场验证的效能解决方案。其TO-220-3的经典封装，兼顾了优异的散热能力与便捷的安装工艺，让您的生产集成过程更加顺畅。更低的栅极电荷（Qg）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，这对于提升整体系统频率、缩小磁性元件体积至关重要。当您致力于打造下一代高效、紧凑、可靠的电力电子设备时，这颗芯片所提供的价值远超其本身。为了确保您能获得稳定可靠的正品供应与专业的技术支持，我们强烈推荐您通过官方授权的DIODES代理进行采购，这将是您项目成功的重要一环。

• 型号:DMTH6004SCT
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-220-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.65 毫欧 @ 100A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:95.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4556 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta），136W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220-3
• 封装/外壳:TO-220-3
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还在寻找那颗能扛起大电流、低损耗重任的“核心开关”吗？DMTH6004SCT正是为您而来！它集60V耐压、100A连续电流承载能力于一身，凭借低至3.65毫欧的超低导通电阻，能显著减少功率损耗，让您的电源或电机驱动方案效率飙升，同时有效降低散热设计压力。

这颗芯片采用成熟的TO-220封装，坚固可靠，易于安装。其优化的栅极电荷特性，让开关动作既迅速又干净，助力您实现更高频率、更小体积的系统设计。无论是面对工业控制的严酷环境，还是追求消费电子的高效紧凑，DMTH6004SCT都能让您轻松驾驭高功率应用，打造出更节能、更可靠的产品。