DMTH6002LPS-13

在追求极致能效的今天，您的电源转换系统是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一个关键功率开关节点，既能承载高达100A的连续电流，又能将导通电阻压降至惊人的2毫欧以下，这不仅仅是参数的提升，更是系统效率与可靠性的革命性飞跃。这正是DMTH6002LPS-13为您带来的核心价值。作为Diodes Incorporated精心打造的高性能N沟道MOSFET，它凭借60V的漏源电压和极低的Rds(on)，直接切入高效能源管理的核心痛点，让每一次开关都转化为实实在在的节能收益和更长的设备运行时间。

无论是服务器电源中要求严苛的同步整流，还是工业电机驱动里需要快速响应的桥式拓扑，甚至是不断小型化的车载充电器(OBC)和DC-DC转换模块，DMTH6002LPS-13都能游刃有余。其PowerDI5060-8封装不仅提供了卓越的散热性能，支持高达167W的功率耗散，更通过紧凑的表面贴装设计，为您的PCB布局节省宝贵空间，助力产品实现更轻薄、更高功率密度的设计目标。在-55°C至175°C的宽广结温范围内稳定工作，确保了从严寒到酷热各种极端环境下的可靠性，让您的产品无惧挑战。

选择DMTH6002LPS-13，就是选择了一种经过验证的高性能解决方案。它不仅仅是一个晶体管，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的关键伙伴。极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让主控芯片工作得更轻松，整体系统效率再上一个台阶。当您寻求稳定可靠的供货与专业的技术支持时，DIODES中国代理将成为您坚实的后盾，确保您能轻松获取这颗明星产品并得到快速响应。立即采用DMTH6002LPS-13，让它成为您下一代高效能设计的强大心脏，共同开启能效新纪元。

• 型号:DMTH6002LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8（K 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:130.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6555 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:167W
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8（K 类）
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• 想获取DMTH6002LPS-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您正在寻找一颗能同时驾驭高电流与高效率的功率开关吗？DMTH6002LPS-13正是您的理想之选。这颗由Diodes Incorporated推出的N沟道MOSFET，拥有60V耐压和高达100A的连续电流承载能力，其核心魅力在于仅2毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关状态下的功率损耗，直接提升您的电源或电机驱动系统的整体效率。

它采用先进的PowerDI5060-8封装，散热性能出众，让您能轻松管理高达167W的功率耗散。同时，优化的栅极电荷特性让驱动更简单、开关更迅捷。无论是用于同步整流、电机控制还是各类DC-DC转换，DMTH6002LPS-13都能让您的设计更高效、更紧凑、更可靠。