DMTH43M8LK3-13

想象一下，当您的电源管理系统需要处理高达100A的电流时，传统的解决方案是否让您面临散热、效率与空间的多重挑战？今天，我们为您带来一个能够彻底改变游戏规则的答案DMTH43M8LK3-13。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，不仅仅是一个电子元件，更是您实现高效、紧凑、可靠电源设计的强大引擎。它拥有40V的漏源电压和高达100A的连续漏极电流承载能力，却能将导通电阻控制在惊人的3.6毫欧，这意味着更低的导通损耗，更高的系统效率，以及更少的能量浪费，直接为您节省运营成本，提升产品竞争力。

无论是服务器电源、工业电机驱动，还是新能源车载充电器，DMTH43M8LK3-13都能游刃有余。其卓越的开关性能，得益于仅38.5nC的低栅极电荷和宽泛的驱动电压支持（5V/10V），让您的开关电源设计能够轻松工作在更高频率，从而使用更小的磁性元件，进一步缩小整体方案体积。在严苛的工业环境中，其-55°C至175°C的宽广工作结温范围和TO-252（D-Pak）的坚固封装，确保了长期稳定运行，无惧高温与震动挑战。选择它，就是为您的产品选择了经久耐用的品质基石。

为什么越来越多的工程师在关键项目中信赖DMTH43M8LK3-13？因为它将高性能与易用性完美结合。低至2.5V的阈值电压使其易于驱动，与多种控制器兼容，简化了您的电路设计。高达88W的功率耗散能力，配合优化的封装热性能，让散热设计更加从容。当您追求极致的功率密度和能源效率时，这颗芯片就是您最值得信赖的伙伴。如需获取样品、技术资料或采购支持，我们的DIODES中国代理团队随时为您提供专业服务，助力您的创意从蓝图变为现实。选择DMTH43M8LK3-13，不仅是选择了一颗芯片，更是选择了一条通往更高性能、更可靠产品的捷径。

• 型号:DMTH43M8LK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 40V 100A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.6 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:38.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2693 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:88W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在为寻找一颗能同时满足大电流、低损耗和高可靠性的MOSFET而烦恼吗？DMTH43M8LK3-13正是为您而来的解决方案。它能轻松驾驭高达100A的连续电流，凭借仅3.6毫欧的超低导通电阻，大幅降低开关和传导损耗，直接提升您的电源转换效率，让系统运行更凉爽、更节能。

这颗芯片专为 demanding 应用而设计。它让您能够构建更紧凑、更高效的电机驱动、电源模块或负载开关。其优异的开关特性（低栅极电荷）和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C），确保您的产品即使在严苛环境下也能稳定发挥，可靠性无可挑剔。选择DMTH43M8LK3-13，就是为您的核心电路注入一颗强劲而稳健的“心脏”。