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| DMTH43M8LFGQ-13-01的报价和技术资料 - DIODES公司授权中国代理商 |
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DMTH43M8LFGQ-13-01

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分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
制造厂商：DIODES(美台)
功能简述：MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
原厂封装：封装:POWERDI3333-8
优势价格，DMTH43M8LFGQ-13-01的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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DMTH43M8LFGQ-13-01的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供
  • 型号:DMTH43M8LFGQ-13-01
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:POWERDI3333-8
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Ta），100A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 20A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40.1 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）:±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2798 pF @ 20 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:2.62W（Ta），65.2W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:POWERDI3333-8
  • 封装/外壳:8-PowerVDFN
  • 想获取DMTH43M8LFGQ-13-01的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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