DMTH41M8SPS-13

想象一下，您的下一款电源或电机驱动产品，能否在保持极致紧凑的同时，实现前所未有的高效与可靠？这正是DMTH41M8SPS-13为您带来的核心价值。作为Diodes Incorporated精心打造的N沟道功率MOSFET，它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、赢得市场竞争力的关键引擎。其高达100A的连续漏极电流承载能力和仅40V的漏源电压，专为高效率、高密度应用而生，让您的设计在功率与空间之间找到完美平衡点。

无论是服务器电源中要求严苛的同步整流，还是电动工具中需要瞬间爆发力的电机驱动，甚至是不断追求轻薄化的车载充电器，DMTH41M8SPS-13都能游刃有余。它卓越的1.8毫欧超低导通电阻，意味着在电流通过时产生的热量损耗被降至极低，直接转化为更高的系统效率和更长的运行时间。宽广的-55°C至175°C工作结温范围，确保了它在各种恶劣环境下依然稳定如山，让您的产品无惧挑战，从容应对从消费电子到工业控制的多元化场景。

选择DMTH41M8SPS-13，就是选择了一种面向未来的设计哲学。其先进的PowerDI5060-8封装技术，在极小的占板面积内实现了出色的散热性能和功率处理能力，让您的PCB布局更加灵活，产品体积得以进一步优化。更低的栅极电荷和输入电容，意味着开关速度更快，驱动更轻松，系统整体动态响应性能显著提升。当您寻求可靠且高性能的功率解决方案时，通过专业的DIODES中国代理获取这颗芯片，无疑是确保供应链稳定、获得技术支持的明智之举。它将复杂的功率管理化繁为简，助您轻松打造出更高效、更可靠、更具市场竞争力的新一代电子产品。

• 型号:DMTH41M8SPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8（K 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:79.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6968 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.03W
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8（K 类）
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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还在为功率转换效率瓶颈和散热难题而困扰吗？DMTH41M8SPS-13正是为您破局而来的利器。这颗来自Diodes的N沟道MOSFET，凭借其100A的高电流能力和1.8毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关和传导损耗，让您的电源模块或电机驱动方案运行得更凉、更高效，直接提升终端产品的续航和可靠性。

它采用先进的PowerDI5060-8封装，在节省宝贵电路板空间的同时，提供了卓越的散热性能。无论是同步整流、电机控制还是负载开关应用，DMTH41M8SPS-13都能让您轻松应对高功率密度设计的挑战，简化热管理，加速产品上市进程。