DMTH4011SPD-13

想象一下，当您的下一代汽车电子或工业电源系统需要同时兼顾高功率密度与极致可靠性时，您会选择怎样的核心开关器件？答案或许就藏在DMTH4011SPD-13这颗双N沟道MOSFET阵列之中。它不仅仅是一个组件，更是您实现系统性能飞跃、缩短开发周期的强大引擎。凭借其高达40V的漏源电压和惊人的42A（Tc）连续漏极电流能力，它为高负载应用提供了坚实的动力基础，让您的设计从一开始就站在高起点上。

无论是汽车引擎控制单元（ECU）中需要精准快速的负载驱动，还是LED前照灯驱动电路里对效率与热管理的严苛要求，甚至是工业自动化设备中紧凑型电机控制模块的设计，DMTH4011SPD-13都能游刃有余。其符合AEC-Q101标准的汽车级品质，意味着它能在-55°C至175°C的极端结温范围内稳定工作，从容应对路面颠簸、引擎舱高温等恶劣环境挑战，为终端产品注入令人安心的耐久力。当您需要在一个狭小的PCB空间内布置高效的双路开关时，它的PowerDI5060封装和表面贴装设计将成为您布局的得力助手。

选择DMTH4011SPD-13，就是选择了一种经过验证的高效与可靠。其低至15毫欧的导通电阻（最大值）和仅10.6nC的栅极电荷，直接转化为更低的导通损耗和更快的开关速度，这意味着您的系统效率更高，发热更少，整体性能更为出色。这颗芯片将复杂的功率管理化繁为简，让工程师能够将更多精力聚焦于系统创新与功能优化。如果您正在寻找一个值得信赖的供应链伙伴，专业的DIODES代理商能为您提供从选型支持到稳定供货的全方位服务，确保您的项目顺利推进。拥抱DMTH4011SPD-13，让它成为您打造更具竞争力、更可靠产品的秘密武器。

• 型号:DMTH4011SPD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 40V 11.1A PWRDI50
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:40V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.1A（Ta），42A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.6nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:805pF @ 20V
• 功率 - 最大值:2.6W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
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还在为寻找一款既能承载大电流又具备卓越开关性能的双路MOSFET而烦恼吗？DMTH4011SPD-13正是为您而来的解决方案。它集双N沟道于一体，拥有40V耐压和高达42A（Tc）的电流处理能力，让您轻松驾驭汽车电机驱动、电源转换等高要求场景。

这颗芯片的核心价值在于其高效与可靠。极低的导通电阻（15毫欧）和栅极电荷（10.6nC）意味着更少的能量损耗和更快的开关响应，直接提升您的系统效率。其符合AEC-Q101的汽车级品质与宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C），确保了在严苛环境下的长期稳定运行，让您的设计无后顾之忧。