DMTH4007SK3-13

在追求极致能效的电力电子世界，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一款能在高达175°C结温下稳定工作，同时将导通电阻压至仅6毫欧的功率开关，将如何彻底改变您的电源设计？答案就在DMTH4007SK3-13。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，不仅仅是一个组件，它是您通向更高效率、更可靠系统的一把钥匙。其40V的漏源电压和高达76A（Tc）的连续漏极电流承载能力，意味着它能在严苛的汽车级应用中游刃有余，将功率转换的瓶颈一举击破。

无论是新能源汽车的DC-DC转换器、电机驱动，还是工业自动化中的高密度电源模块，DMTH4007SK3-13都能成为您最坚实的后盾。它天生为应对挑战而生，AEC-Q101认证确保了其在振动、高温和快速温度循环等恶劣环境下的卓越可靠性。当您的设计需要在小尺寸的TO-252封装内实现大功率处理时，它的低栅极电荷（仅41.9nC）和快速开关特性，能显著降低驱动损耗和开关噪声，让整个系统的响应速度与能效同步飞跃。选择它，就是为您的产品注入了经得起市场与时间考验的耐久基因。

那么，在众多功率器件中，为何独独青睐这颗芯片？核心价值在于它精准平衡了性能、可靠性与成本。极低的导通电阻直接转化为更少的热量产生和更高的系统效率，这意味着您可以使用更小的散热器，甚至简化散热设计，从而降低整体BOM成本和产品体积。其宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）提供了巨大的设计余量，让您的产品能够轻松应对全球任何角落的极端气候。当您需要稳定可靠的供应链和技术支持时，遍布全球的DIODES代理商网络将是您强大的后援。选择DMTH4007SK3-13，不仅是选择了一颗高性能MOSFET，更是选择了一个能助力您的产品在竞争中脱颖而出的战略伙伴，让高效能与高可靠性从此触手可及。

• 型号:DMTH4007SK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 17.6A/76A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17.6A（Ta），76A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2082 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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您正在寻找一颗能扛起大电流、高效开关重任的“核心引擎”吗？DMTH4007SK3-13正是这样一款专为严苛应用而生的N沟道MOSFET。它拥有40V的耐压和高达76A（Tc）的电流处理能力，配合仅6毫欧的超低导通电阻，能显著降低您在电源转换或电机驱动中的导通损耗，让系统运行更凉爽、能效更高。

这颗芯片采用坚固的TO-252表面贴装封装，并符合汽车级AEC-Q101标准，确保它能在-55°C到175°C的极端温度范围内稳定工作。其快速的开关特性（低栅极电荷）让您轻松实现高效的高频开关设计。无论是提升现有产品的性能，还是开发面向未来的高可靠性方案，DMTH4007SK3-13都能让您的设计之路更加顺畅高效。