DMTH4005SK3Q-13

在追求极致效率的电源管理和电机驱动设计中，您是否还在为寻找一款能在高温、高电流环境下稳定工作，同时兼顾出色导通性能的功率开关而烦恼？今天，我们为您带来一个卓越的解决方案DMTH4005SK3Q-13。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其高达95A的连续漏极电流和仅为4.5毫欧的超低导通电阻，重新定义了40V应用场景下的性能标杆。它不仅仅是一个组件，更是您提升系统能效、增强产品可靠性的强大引擎。

想象一下，在汽车引擎控制单元、电动助力转向系统或车载DC-DC转换器中，严苛的环境对元器件的稳定性和寿命提出了极高要求。DMTH4005SK3Q-13正是为此而生。它通过了严苛的AEC-Q101汽车级认证，工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保在极端温度波动下依然坚如磐石。其TO-252（DPAK）封装不仅提供了优异的散热能力，功率耗散高达100W（Tc），更便于自动化表面贴装生产，助力您快速实现高可靠性的汽车电子或工业电源方案。选择它，就是为您的核心动力系统选择了一位值得信赖的守护者。

为何众多领先的设计师将DMTH4005SK3Q-13作为首选？答案在于其无与伦比的综合价值。极低的栅极电荷（49.1nC）与输入电容，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统响应更迅捷，整体效率再上一个台阶。无论是用于同步整流、电机驱动还是负载开关，它都能显著降低导通损耗，减少热量产生，从而简化散热设计，延长终端产品寿命。要获得这款性能怪兽的稳定供应与专业技术支持，我们推荐您联系官方授权的DIODES代理，他们将为您提供从选型到量产的全程护航。立即采用DMTH4005SK3Q-13，释放您设计的全部潜能，在激烈的市场竞争中赢得先机！

• 型号:DMTH4005SK3Q-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 95A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):95A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:49.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3062 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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您正在寻找一颗能扛起大电流、高效开关重任的“核心动力”吗？DMTH4005SK3Q-13正是您理想的答案。这颗40V/95A的N沟道MOSFET，凭借其低至4.5毫欧的导通电阻，能显著降低功率路径上的损耗，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它专为严苛环境打造，拥有汽车级AEC-Q101认证和高达175°C的结温工作能力，确保在汽车电子或工业应用中的长期可靠性。其优化的开关特性（如低栅极电荷）让您能轻松设计出响应快速的驱动电路，而TO-252封装则提供了出色的散热性能和便捷的制造工艺。选择DMTH4005SK3Q-13，就是为您的产品注入了强劲、可靠且高效的核心动能。