DMTH4005SK3-13

想象一下，当您的电源管理系统需要处理高达95A的连续电流时，是否曾为开关损耗和散热问题而烦恼？现在，这一切都将迎刃而解。我们隆重推出DMTH4005SK3-13，这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，正是为高效能、高可靠性应用而生的卓越解决方案。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统整体效率、降低运行成本的关键引擎。

在当今追求极致能效的工业自动化、服务器电源或新能源车载充电器中，每一瓦的损耗都意味着成本的增加和竞争力的削弱。DMTH4005SK3-13以其低至4.5毫欧的导通电阻，在50A的大电流下依然能保持极低的导通损耗，将更多电能精准输送到负载端，而非转化为无谓的热量。其高达100W（Tc）的功率耗散能力，配合TO-252（D-Pak）的坚固封装，确保了即使在-55°C到175°C的严苛温度范围内也能稳定工作，为您的产品提供了从极寒到酷热的全场景适应力。

选择DMTH4005SK3-13，就是选择了一份从容与自信。它高达40V的漏源电压和±20V的栅极电压容限，为您的设计提供了充足的安全余量，有效抵御电压尖峰的冲击。极低的栅极电荷（仅49.1nC @ 10V）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统频率可以更高，动态响应更加敏捷。无论是用于同步整流、电机驱动还是负载开关，它都能让您的设计脱颖而出。如果您正在寻找稳定可靠的供货渠道，专业的DIODES代理商将为您提供从选型支持到供应链保障的全方位服务。

归根结底，在激烈的市场竞争中，细节决定成败。DMTH4005SK3-13正是那个能帮助您优化细节、构建核心优势的组件。它用扎实的参数和久经考验的可靠性，默默守护着您系统的每一次高效启停，将卓越的性能转化为您产品实实在在的市场竞争力。现在就为您的下一个项目配备这颗高效能心脏，开启能效新纪元。

• 型号:DMTH4005SK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 95A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):95A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:49.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3062 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在为寻找一颗能同时兼顾大电流、低损耗和高可靠性的MOSFET而费神吗？DMTH4005SK3-13正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET能轻松承载高达95A的连续电流，并以低至4.5毫欧的导通电阻，显著降低您在电源转换、电机控制等应用中的导通损耗，直接提升系统整体效率，让您的产品运行更凉爽、更节能。

它拥有40V的耐压和宽广的-55°C至175°C工作结温范围，确保在各种复杂电气环境和温度条件下稳定工作。其优化的开关特性（如低栅极电荷）让您能设计出响应更快的驱动电路。采用坚固的TO-252表面贴装封装，它不仅节省空间，更提供了卓越的散热性能，让您能轻松应对高功率密度设计的挑战，是实现高效、紧凑且可靠电源方案的强大基石。