DMTH4005SCT

想象一下，您的下一个汽车电子或工业电源项目，是否还在为功率器件的效率瓶颈和可靠性担忧？当系统需要在严苛环境下持续输出强劲动力时，一颗核心的开关器件往往决定了整个设计的成败。今天，我们为您带来的DMTH4005SCT，正是为终结这些挑战而生。它不仅仅是一个参数表上的数字，更是您实现高效、稳定、紧凑设计的强大引擎。

这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，拥有40V的漏源电压和高达100A的连续漏极电流承载能力，这意味着它天生就是为高电流开关应用准备的强者。其核心魅力在于极低的导通电阻在10V驱动电压、50A电流下，最大值仅4.7毫欧。更低的Rds(on)直接转化为更少的导通损耗和发热，让您的系统运行更凉爽，效率显著提升，这对于追求能效和热管理的汽车电驱、DC-DC转换器或电机驱动应用而言，价值无可估量。同时，高达175°C的结温工作范围和符合AEC-Q101标准的汽车级品质，赋予了它无与伦比的坚固性与可靠性，无惧引擎舱的高温或户外设备的极端温差挑战。

无论是新能源汽车的OBC（车载充电机）、BMS（电池管理系统）中的主控开关，还是工业服务器电源、电动工具中的电机控制桥臂，DMTH4005SCT都能游刃有余。其优化的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss）平衡了开关速度与驱动简易性，帮助您轻松实现高速开关的同时，降低驱动电路的设计复杂度。TO-220AB的经典封装形式，兼顾了优异的散热性能和成熟的安装工艺，让您的生产与维护都更加顺畅。选择它，就是为您的产品注入了经得起市场与时间考验的强劲心脏。

在竞争激烈的市场中，选对核心器件就是赢得了先机。选择DMTH4005SCT，您选择的不仅是一颗高性能MOSFET，更是Diodes Incorporated在半导体领域数十年的技术积淀与对品质的严苛追求。为了确保您能获得稳定可靠的正品供应与专业的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的渠道进行采购。作为值得信赖的DIODES授权代理，我们为您提供从选型支持到供应链保障的全方位服务。立即行动，让DMTH4005SCT成为您下一个明星产品的力量之源，共同开启高效、可靠的新篇章！

• 型号:DMTH4005SCT
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-220-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.7 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:49.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3062 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta），125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220-3
• 封装/外壳:TO-220-3
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还在寻找一颗能同时征服高电流与高效率挑战的功率开关吗？DMTH4005SCT就是您的答案。这颗N沟道MOSFET拥有40V/100A的强悍规格，其核心价值在于极低的4.7毫欧导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉、更高效，直接提升终端产品的能效表现和可靠性。

它专为严苛环境打造，符合汽车级AEC-Q101标准，工作结温高达175°C，确保在汽车引擎舱或工业高温场景下稳定工作。优化的开关特性帮助您平衡速度与损耗，而经典的TO-220AB封装则让散热设计变得轻松。选择它，就是为您的设计注入强劲、可靠的核心动力。