DMTH4004SPSQ-13

在追求极致效率的电力转换世界，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？当每一瓦的功率都至关重要时，选择一颗性能卓越的MOSFET，往往就是决定产品成败的关键。今天，我们为您带来一个能够彻底改变游戏规则的解决方案DMTH4004SPSQ-13。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道功率MOSFET，以其突破性的低导通电阻和卓越的开关性能，正重新定义40V应用领域的能效标准。

想象一下，在您的同步整流电路、电机驱动模块或高密度DC-DC转换器中，电流顺畅无阻地通过，发热量却显著降低。这正是DMTH4004SPSQ-13带来的核心价值。它拥有低至2.7毫欧的导通电阻（Rds(On)），在90A的大电流和10V驱动电压下，依然能保持极低的导通损耗，这意味着更多的电能被有效利用，而非转化为无谓的热量。其高达31A（环境温度）和100A（壳温）的连续漏极电流能力，赋予了它驱动重型负载的底气，无论是电动工具、无人机动力系统，还是服务器电源和车载充电器，它都能游刃有余，确保系统稳定、强劲地运行。

除了强大的电流处理能力，其快速的开关特性同样令人印象深刻。68.6nC的低栅极电荷（Qg）意味着它能够以更快的速度完成开启和关断，显著降低开关过程中的能量损耗，这对于高频开关电源提升整体效率至关重要。同时，宽广的-55°C至175°C结温工作范围，配合PowerDI5060-8封装优异的散热性能，确保了它在严苛环境下的长期可靠性。当您需要为产品寻找一颗既能承受高功率密度挑战，又能保证长期稳定性的核心开关器件时，DMTH4004SPSQ-13无疑是您的理想之选。它不仅是一颗元器件，更是您提升产品竞争力、实现能效飞跃的战略性资产。如需获取样品、技术资料或采购支持，我们的DIODES中国代理团队随时准备为您提供专业服务。

• 型号:DMTH4004SPSQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 31A PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):31A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.7 毫欧 @ 90A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:68.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4305 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.6W（Ta），167W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• 想获取DMTH4004SPSQ-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在寻找那颗能让您的电源设计既高效又紧凑的“心脏”吗？DMTH4004SPSQ-13正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET专为高性能开关应用而生，其核心使命就是让您的电能转换过程损失更少、速度更快。

凭借仅2.7毫欧的超低导通电阻，它能大幅降低导通损耗，让您轻松处理高达31A（环境温度）的连续电流，显著提升系统效率并简化散热设计。同时，优化的栅极电荷和电容特性确保了快速的开关响应，帮助您的高频电源设计突破效率瓶颈。采用坚固的PowerDI5060-8表面贴装封装，它能在-55°C至175°C的广阔温度范围内稳定工作，是您打造高可靠性、高功率密度产品的得力伙伴。