DMTH4004SK3Q-13

当您的下一个汽车电子或工业电源项目需要兼顾高功率密度与极致可靠性时，您是否曾为寻找一颗能同时满足严苛性能与成本效益的MOSFET而困扰？现在，答案就在眼前。我们隆重向您推荐DMTH4004SK3Q-13，这颗来自Diodes Incorporated的N沟道功率MOSFET，正是为应对现代高要求应用而生的卓越解决方案。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、确保系统稳定运行的关键伙伴。

想象一下，在汽车引擎控制单元（ECU）、先进的LED照明驱动或是高功率DC-DC转换器中，电流的稳定高效切换至关重要。DMTH4004SK3Q-13凭借其高达100A的连续漏极电流承载能力和仅3.2毫欧的超低导通电阻，能够显著降低系统在运行中的功率损耗和发热。这意味着您的设备可以运行得更凉爽、更高效，直接延长了产品寿命并提升了能源利用率。其宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）和符合AEC-Q101汽车级标准的品质，让它无惧从极寒到酷热的任何环境挑战，无论是飞驰的汽车底盘下，还是24小时不间断运行的工业服务器中，它都能稳定如一。

选择DMTH4004SK3Q-13，就是选择了一份放心的保障和卓越的价值。它采用TO-252-4L（DPAK）封装，在提供强大功率处理能力的同时，保持了紧凑的占板面积，非常适合空间受限的现代设计。其优化的栅极电荷（Qg）特性确保了快速高效的开关性能，让您的系统响应更迅捷，整体效率再上一个台阶。当您需要可靠、高性能的半导体解决方案时，与专业的DIODES代理合作，不仅能确保您获得正品货源和稳定的供应，更能获得及时的技术支持与选型指导，让您的产品从设计到量产一路畅通。立即将DMTH4004SK3Q-13纳入您的设计，亲身体验它如何为您的应用注入强劲动力与非凡可靠性。

• 型号:DMTH4004SK3Q-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 100A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.2 毫欧 @ 90A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:68.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4305 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.9W（Ta），180W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在为电源转换效率低下或开关损耗过大而烦恼吗？DMTH4004SK3Q-13正是您提升系统性能的得力助手。这颗40V/100A的N沟道MOSFET，拥有低至3.2毫欧的导通电阻，能大幅降低导通损耗，让您的电源设计更高效、发热更少，直接提升终端产品的能效与可靠性。

它专为严苛环境而生，符合汽车级AEC-Q101标准，工作温度横跨-55°C至175°C，确保在汽车电子、工业电源等关键应用中稳定运行。其TO-252-4L封装兼顾了功率处理能力与空间节省，让您轻松实现高功率密度设计。选择它，就是选择了一个让您设计更省心、产品更具竞争力的高效解决方案。