DMTH4004SCTB-13

在追求极致能效的电力转换系统中，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一款能够在高电流下保持超低导通电阻，同时具备出色热管理能力的功率器件，将如何彻底改变您的电源设计。今天，我们向您隆重介绍DMTH4004SCTB-13，这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，正是为应对严苛的高功率应用挑战而生。它不仅仅是一个组件，更是您提升系统可靠性、缩小产品体积并降低总体成本的关键引擎。

当我们将目光投向实际应用，DMTH4004SCTB-13的身影无处不在。在服务器和数据中心的高密度电源单元（PSU）中，它凭借100A的连续漏极电流和低至3毫欧的导通电阻，显著降低了传导损耗，让电能转换更加高效，直接转化为可观的电费节省和更低的碳足迹。在新能源领域，无论是太阳能逆变器的MPPT电路，还是电动汽车的车载充电机（OBC），其40V的漏源电压和优异的开关特性，确保了能量能够被快速、平稳地调度与传输。甚至在工业自动化设备的电机驱动和负载开关中，其宽广的-55°C至175°C工作结温范围，赋予了设备在恶劣环境下稳定运行的强大底气。选择它，意味着为您的产品注入了应对未来高负载、高效率需求的强大基因。

那么，在众多功率器件中，为何DMTH4004SCTB-13能脱颖而出？答案在于其精妙的平衡艺术。它成功地在高电流能力、超低导通电阻与卓越的热性能之间找到了黄金平衡点。TO-263AB（DPAK）封装不仅提供了强大的散热能力，支持高达136W（Tc）的功率耗散，其表面贴装形式也完美适配现代自动化生产线，提升您的制造效率。更低的栅极电荷（Qg）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，这对于高频开关应用至关重要。当您需要可靠的技术支持和本地化服务时，我们的DIODES中国代理团队随时待命，为您提供从选型到量产的全方位支持。这不仅仅是一颗MOSFET的采购，更是一次为您的产品竞争力进行的关键投资。选择DMTH4004SCTB-13，就是选择了一份值得信赖的性能承诺与未来保障。

• 型号:DMTH4004SCTB-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-263
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 100A TO263AB Tu0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 100A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:68.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4305 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:4.7W（Ta），136W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 想获取DMTH4004SCTB-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您正在寻找一颗能扛起高电流重任，同时保持电路“冷静”与高效的核心开关吗？DMTH4004SCTB-13正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有高达100A的连续电流处理能力，而其导通电阻在10V驱动下可低至惊人的3毫欧，这意味着它能大幅减少功率损耗，将更多电能高效地输送给负载，直接帮助您提升终端产品的能效等级。

它采用坚固的TO-263AB封装，具备出色的散热性能，确保在高达175°C的结温下依然稳定工作，让您的设计无惧高温挑战。无论是用于同步整流、电机控制还是负载开关，其快速的开关特性和可靠的性能都能让您的系统运行更加顺畅、可靠。选择它，让您的电源设计轻松迈向更高功率密度与更高可靠性的新台阶。